第34卷第5期
2004年10月
微电子学
M icroelectron ics
V o l 134, №5O ct 12004
文章编号:100423365(2004) 0520519203
用于M E M S 的硅湿法深槽刻蚀技术研究
张正元, 徐世六, 刘玉奎, 杨国渝, 税国华
(模拟集成电路国家重点实验室; 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060)
摘 要: 针对用于M E M S 的硅湿法深槽刻蚀技术, 对KO H 腐蚀液的配方、掩蔽技术等关键技术进行了研究, 获得了优化的KO H 腐蚀条件; 利用该技术, 成功地刻蚀出深度高达315Λ保护区m 、域完好的深槽。为硅基M E M S 体加工获得微机械结构提供了一个好方法。关键词: 湿法腐蚀; 深槽刻蚀; 掩蔽; M E M S ; 微机械结构中图分类号: TN 405198+2文献标识码: A
An I nvestiga tion i n to W et Etch i ng of Si -Trench for M E M S
ZHAN G Zheng 2yuan , XU Sh i 2liu , L I U Yu 2ku i , YAN G Guo 2Yu , SHU I Guo 2hua
(N ational L aboratory of A nalog Integ rated C ircu its ; S ichuan Institu te of S olid 2S tate C ircu its , CE T C , Chong qing 400060, P 1R 1Ch ina )
Abstract : KOH so lu ti on and m ask ing in w et etch ing of silicon trench fo r M E M S are investigated 1Op ti m ized
conditi on s fo r KOH etch ing are ob tained 1U sing th is techn ique , silicon trenches up to 315Λm deep are etched , w ith m asked area rem ain ing in tact 1It p rovides a good m ethod fo r 32D fab ricati on of silicon M E M S devices 1
Key words : W et etch ing ; T rench etch ing ; M ask ing ; M E M S ; M icrom echan ic structu re EEACC : 2550
1 引 言
微电子机械系统(M E M S ) 将微机械、传感器、控制电路等紧密集成在一块芯片上, 形成微小型系统。M E M S 是各种设备小型化的发展方向, 它将像二十世纪的微电子技术一样, 对人们的生活和工作产生革命性的影响。硅基体加工技术是M E M S 的一项重要技术, 很多硅微机械结构都要靠它来完成[126]。硅基深槽刻蚀技术又是硅基体加工技术中的关键技术。本文针对硅基深槽刻蚀技术, 研究采用KO H 湿法腐蚀解决湿法深槽刻蚀中的关键技术问
各向同性腐蚀对硅的不同晶面腐蚀速度相同, 该方
法主要采用以H F 、HNO 3和H 2O (CH 3COO H ) 组成的腐蚀液。用这种腐蚀液实现选择性腐蚀相当困难, 很难找到能够承受这种腐蚀液长时间腐蚀的材料。各向异性腐蚀对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速度。基于这种腐蚀特性, 可在硅衬底上加工出各种各样的M E M S 微结构。各向异性腐蚀液一般分为两类:一类是有机腐蚀液, 包括EPW (乙二胺, 邻苯二酸和水) 和联胺等(这类腐蚀液由于含有苯而不宜采用) ; 另一类是无机腐蚀液, 主要是KO H 、N aO H 、L i 2
[4]O H 、C s O H 和N H 4O H 等, 用得最多的是KO H 腐
蚀液。KO H 腐蚀液去除沾污方便, 且腐蚀速度也较快。本文针对KO H 腐蚀液对硅的腐蚀开展实验研究, 获得了优化的腐蚀液配方和腐蚀条件。
KO H 与硅的反应机理是, KO H 的水溶液与硅
题, 如掩蔽技术、小岛等, 为批量化硅基体加工研制生产硅基M E M S 奠定基础。
2 硅湿法腐蚀配方优化实验
硅湿法腐蚀有各向同性腐蚀和各向异性腐蚀。
收稿日期:2004202209; 定稿日期:2004203221
反应, 其反应式为:
Si +H 2O +2KO H =K 2Si O 3+2H 2
由于KO H 在与硅反应中要释放出氢气, 因此
(2003AA 404202) 资助。基金项目:国家“863”计划“M E M S 重大专项B 类项目”
520张正元等:用于M E M S 的硅湿法深槽刻蚀技术研究2004年
在腐蚀液中会产生氢气泡, 局部抑制了KO H 对硅接触, 造成局部腐蚀速度变慢, 从而出现表面有金字塔形的小丘。为了降低或消除这种金字塔形的小丘, 在腐蚀液中加入异丙醇, 利用异丙醇的挥发性尽快带走反应产生的氢气, 抑制氢气泡的产生, 使腐蚀液腐蚀速度均匀, 避免出现金字塔小丘的现象。为了获得KO H 优化的腐蚀液配方和腐蚀条件, 进行了KO H 腐蚀液配方和温度对硅刻蚀的影响的实验。实验方法是首先在(100) 晶向的硅片上生长一层氧
从表1的实验结果可以看出, KO H 、水、异丙醇的比例为:50g ∶100m l ∶10m l 。这样配比的腐蚀液对(100) 晶向的硅腐蚀效果较好, 而其它配比都会出现表面发黑的金字塔形小丘。这是由于在没有加异丙醇的情况下, 释放出的氢气在KO H 腐蚀液中加入异丙醇会抑制氢气泡的产生, 使腐蚀液腐蚀速度均匀, 从而避免了金字塔形小丘的出现。但是, 若加入的异丙醇比例不恰当, 就会在硅表面留下异丙醇的炭化物, 抑制硅的腐蚀, 表面也出现发黑现象。
化硅, 然后光刻形成刻蚀窗口。将实验片放入腐蚀液中腐蚀10m in , 然后用台阶测试仪测试腐蚀的深度, 从而计算出腐蚀硅的速度。实验结果如表1所示。
表1 K OH 腐蚀液配方和温度对硅刻蚀的影响腐蚀液
KOH
3 硅湿法深槽腐蚀的掩蔽实验
按照所获得的优化KO H 腐蚀液配方, 进行了硅与二氧化硅、氮化硅掩蔽层的选择比实验, 腐蚀液温度为85°C , 实验结果如表2所示。从表2实验结果看出, 硅与氮化硅的选择比很高, 硅与二氧化硅的选择比要差些。工艺中, 热氧化111Λm 以下的氧化层比较容易实现, 因此, 采用二氧化硅作掩蔽层腐蚀硅, 腐蚀深度只能在100Λm 以内, 否则难以保证掩蔽区的硅不被腐蚀。对于腐蚀硅深度超过100Λm 的情况, 采用氮化硅作掩蔽层是最佳的选择。但是, 氮化硅与硅的热膨胀系数相差较大, 氮化硅在硅片上会出现裂纹, 甚至脱落, 根本不能起到保护作用。基于此, 我们采用先氧化1Λm 厚的氧化层, 然后再低温淀积140nm 氮化硅的方法。这样既避免了出现氮化硅裂纹, 甚至脱落现象, 又能保证掩蔽区的硅不被腐蚀。
配比
20g 100m l 20g 100m l 10m l 50g 100m l 50g 100m l 10m l
腐蚀温度腐蚀速度 85
85
-110
015
1
现象有金字塔形小丘刻蚀后的硅表面发黑, 且有金字塔形小丘
水
KOH
水
异丙醇
KOH
8585
112018
水
KOH
有金字塔形小丘刻蚀后的硅表面发亮, 且表面无金字塔形小丘
水
异丙醇
表2 硅与二氧化硅、氮化硅掩蔽层的选择比实验结果
30130m in 50m in
现象
硅与二氧化硅的选择比实验
硅深度 O 2腐蚀掉的厚度 Λm Λm Si
0135076995
[1**********]73
1
选择比
111∶193194∶195∶1
表面无异常, 掩蔽区完好
硅与氮化硅的选择比实验
硅深度 Λm 氮化硅腐蚀掉的厚度 Λm
[***********][1**********]
表面无异常, 掩蔽区完好
选择比
340∶[1**********]∶132000∶1
4 湿法深槽刻蚀实验结果
利用前面的实验结果, 确定了优化的湿法腐蚀硅工艺技术方案。采用二氧化硅 氮化硅形成复合保护膜的方法, 既可以消除单独用二氧化硅不能作100Λm 以上深槽刻蚀保护膜的问题, 又避免了单独
槽刻蚀技术研究。实验工艺路线和条件如下:
厚度525Λ晶向(100) 的硅材料片→生长1～m 、112Λm 厚的氧化层→L PCVD 淀积0. 1Λm 厚的氮
化硅→光刻刻蚀硅区域→干法刻蚀氮化硅和二氧化硅→去胶→KO H 腐蚀液腐蚀硅。
按照前面的优化KO H 腐蚀液配方和腐蚀条件, 成功地刻蚀出深度达到315Λm 的深槽, 且掩蔽区保护完好, 刻蚀的硅表面也光亮平滑, 如图1～图3所示。
采用氮化硅作保护膜会因为热应力的不匹配而造成氮化硅脱落的问题。利用该工艺方案, 开展了湿法深
第5期张正元等:用于M E M S 的硅湿法深槽刻蚀技术研究521
腐蚀温度、保护技术等湿法腐蚀KO H 腐蚀液配方、
技术研究, 解决了腐蚀中腐蚀区域易于出现小岛而
保护区域易于出现深坑(保护膜脱落或破裂等造成) 的问题, 获得了KO H 湿法深槽刻蚀的优化工艺方案和条件, 为湿法深槽腐蚀获得硅基M E M S 可动部件提供了一种经济实用的方法。参考文献:
图1
湿法腐蚀的深槽形貌图
[1]
刘东栋, 胡海波, 唐衍哲, 等. 基于体硅微机械工艺的光波导器件封装技术[J ]. 机械强度, 2001, 23(4) :
531534.
[2][3][4]
罗均, 谢少荣, 龚振邦. 面向M E M S 的微细加工技术
[J ]. 电加工与模具, 2001, (5) :126.
章吉良, 杨春生. 微机电系统及其相关技术[M ]. 上海:上海交通大学出版社, 2001.
黄庆安. 硅微机械加工技术[M ]. 北京:科学出版社,
1996. 20260.
图2
湿法腐蚀的深槽台阶处的形貌图
[5][6][7][8]
李志信, 罗小兵, 过增元. M E M S 技术的现状及发展趋势[J ]. 传感器技术, 2001, 20(9) :58260.
周兆英, 李志宏. 新世纪的新事业——中国M E M S 调查[J ]. 电子产品世界, 2000, (7) :13214.
王渭源, 鲍敏杭. 微电子机械系统进展和趋势[J ]. 功能材料与器件学报, 1996, 2(3) :1292136.
孙柏林. 微型机电系统技术及其21世纪应用展望
[J ]. 测控技术, 1999, (1) :529.
图3 湿法腐蚀的深槽底部表面刻蚀形貌图
作者简介:张正元(1964-) , 男(汉族) , 高级工程师, 1987年毕业于兰州大学物理系, 获学士学位, 1997年于电子科技大学微电子学系获硕士学位, 主要从事半导体集成电路工艺技术的研究。
5 结 论
本文针对硅基M E M S 深槽刻蚀技术, 开展
新 书 推 介
图书代号:TN 93380, 页数:226页, 定价:35元
作者:M ichael Keating 等; 审校者:沈绪榜, 译者:沈戈等; 出版社:电子工业出版社
内容简介:本书是SOC 设计方面的一本经典著作, 该书的许多关于基于IP 核的SOC 设计方法的基本概念被V S I A 国际标准组织引用。书中的内容主要取材于作者在集成电路设计工程方面的实践经验和理论。本书前5章从SOC 设计的基本概念出
发, 介绍了片上系统设计过程、系统级设计问题(规则和工具) 、核设计过程、R TL 编码指南等方面的基础知识。然后进一步详细讲解了SOC 设计实践方面的方法。在IP 核综合指南、开发硬IP 核、针对可重用设计的封装、IP 核验证指南、IP 核的配置、可重用IP 核的集成、系统级验证、数据和项目管理等方面, 系统地阐述了SOC 可重用设计方法学在集成电路设计实践中的应用。最后, 以国际著名集成电路设计公司的SOC 设计实践活动为例, 讲述了当今最先进的SOC 设计方面的技术。如果您希望了解此次推介图书的详细信息, 欢迎登录华信教育资源网:h ttp : www . hxedu . com . cn 查询, 或者直接与我们联系:北京市万寿路173信箱 教材服务部 100036
电话:[1**********]4; 传真:[1**********]1; E 2. com . cn m ail :edu @phei
第34卷第5期
2004年10月
微电子学
M icroelectron ics
V o l 134, №5O ct 12004
文章编号:100423365(2004) 0520519203
用于M E M S 的硅湿法深槽刻蚀技术研究
张正元, 徐世六, 刘玉奎, 杨国渝, 税国华
(模拟集成电路国家重点实验室; 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060)
摘 要: 针对用于M E M S 的硅湿法深槽刻蚀技术, 对KO H 腐蚀液的配方、掩蔽技术等关键技术进行了研究, 获得了优化的KO H 腐蚀条件; 利用该技术, 成功地刻蚀出深度高达315Λ保护区m 、域完好的深槽。为硅基M E M S 体加工获得微机械结构提供了一个好方法。关键词: 湿法腐蚀; 深槽刻蚀; 掩蔽; M E M S ; 微机械结构中图分类号: TN 405198+2文献标识码: A
An I nvestiga tion i n to W et Etch i ng of Si -Trench for M E M S
ZHAN G Zheng 2yuan , XU Sh i 2liu , L I U Yu 2ku i , YAN G Guo 2Yu , SHU I Guo 2hua
(N ational L aboratory of A nalog Integ rated C ircu its ; S ichuan Institu te of S olid 2S tate C ircu its , CE T C , Chong qing 400060, P 1R 1Ch ina )
Abstract : KOH so lu ti on and m ask ing in w et etch ing of silicon trench fo r M E M S are investigated 1Op ti m ized
conditi on s fo r KOH etch ing are ob tained 1U sing th is techn ique , silicon trenches up to 315Λm deep are etched , w ith m asked area rem ain ing in tact 1It p rovides a good m ethod fo r 32D fab ricati on of silicon M E M S devices 1
Key words : W et etch ing ; T rench etch ing ; M ask ing ; M E M S ; M icrom echan ic structu re EEACC : 2550
1 引 言
微电子机械系统(M E M S ) 将微机械、传感器、控制电路等紧密集成在一块芯片上, 形成微小型系统。M E M S 是各种设备小型化的发展方向, 它将像二十世纪的微电子技术一样, 对人们的生活和工作产生革命性的影响。硅基体加工技术是M E M S 的一项重要技术, 很多硅微机械结构都要靠它来完成[126]。硅基深槽刻蚀技术又是硅基体加工技术中的关键技术。本文针对硅基深槽刻蚀技术, 研究采用KO H 湿法腐蚀解决湿法深槽刻蚀中的关键技术问
各向同性腐蚀对硅的不同晶面腐蚀速度相同, 该方
法主要采用以H F 、HNO 3和H 2O (CH 3COO H ) 组成的腐蚀液。用这种腐蚀液实现选择性腐蚀相当困难, 很难找到能够承受这种腐蚀液长时间腐蚀的材料。各向异性腐蚀对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速度。基于这种腐蚀特性, 可在硅衬底上加工出各种各样的M E M S 微结构。各向异性腐蚀液一般分为两类:一类是有机腐蚀液, 包括EPW (乙二胺, 邻苯二酸和水) 和联胺等(这类腐蚀液由于含有苯而不宜采用) ; 另一类是无机腐蚀液, 主要是KO H 、N aO H 、L i 2
[4]O H 、C s O H 和N H 4O H 等, 用得最多的是KO H 腐
蚀液。KO H 腐蚀液去除沾污方便, 且腐蚀速度也较快。本文针对KO H 腐蚀液对硅的腐蚀开展实验研究, 获得了优化的腐蚀液配方和腐蚀条件。
KO H 与硅的反应机理是, KO H 的水溶液与硅
题, 如掩蔽技术、小岛等, 为批量化硅基体加工研制生产硅基M E M S 奠定基础。
2 硅湿法腐蚀配方优化实验
硅湿法腐蚀有各向同性腐蚀和各向异性腐蚀。
收稿日期:2004202209; 定稿日期:2004203221
反应, 其反应式为:
Si +H 2O +2KO H =K 2Si O 3+2H 2
由于KO H 在与硅反应中要释放出氢气, 因此
(2003AA 404202) 资助。基金项目:国家“863”计划“M E M S 重大专项B 类项目”
520张正元等:用于M E M S 的硅湿法深槽刻蚀技术研究2004年
在腐蚀液中会产生氢气泡, 局部抑制了KO H 对硅接触, 造成局部腐蚀速度变慢, 从而出现表面有金字塔形的小丘。为了降低或消除这种金字塔形的小丘, 在腐蚀液中加入异丙醇, 利用异丙醇的挥发性尽快带走反应产生的氢气, 抑制氢气泡的产生, 使腐蚀液腐蚀速度均匀, 避免出现金字塔小丘的现象。为了获得KO H 优化的腐蚀液配方和腐蚀条件, 进行了KO H 腐蚀液配方和温度对硅刻蚀的影响的实验。实验方法是首先在(100) 晶向的硅片上生长一层氧
从表1的实验结果可以看出, KO H 、水、异丙醇的比例为:50g ∶100m l ∶10m l 。这样配比的腐蚀液对(100) 晶向的硅腐蚀效果较好, 而其它配比都会出现表面发黑的金字塔形小丘。这是由于在没有加异丙醇的情况下, 释放出的氢气在KO H 腐蚀液中加入异丙醇会抑制氢气泡的产生, 使腐蚀液腐蚀速度均匀, 从而避免了金字塔形小丘的出现。但是, 若加入的异丙醇比例不恰当, 就会在硅表面留下异丙醇的炭化物, 抑制硅的腐蚀, 表面也出现发黑现象。
化硅, 然后光刻形成刻蚀窗口。将实验片放入腐蚀液中腐蚀10m in , 然后用台阶测试仪测试腐蚀的深度, 从而计算出腐蚀硅的速度。实验结果如表1所示。
表1 K OH 腐蚀液配方和温度对硅刻蚀的影响腐蚀液
KOH
3 硅湿法深槽腐蚀的掩蔽实验
按照所获得的优化KO H 腐蚀液配方, 进行了硅与二氧化硅、氮化硅掩蔽层的选择比实验, 腐蚀液温度为85°C , 实验结果如表2所示。从表2实验结果看出, 硅与氮化硅的选择比很高, 硅与二氧化硅的选择比要差些。工艺中, 热氧化111Λm 以下的氧化层比较容易实现, 因此, 采用二氧化硅作掩蔽层腐蚀硅, 腐蚀深度只能在100Λm 以内, 否则难以保证掩蔽区的硅不被腐蚀。对于腐蚀硅深度超过100Λm 的情况, 采用氮化硅作掩蔽层是最佳的选择。但是, 氮化硅与硅的热膨胀系数相差较大, 氮化硅在硅片上会出现裂纹, 甚至脱落, 根本不能起到保护作用。基于此, 我们采用先氧化1Λm 厚的氧化层, 然后再低温淀积140nm 氮化硅的方法。这样既避免了出现氮化硅裂纹, 甚至脱落现象, 又能保证掩蔽区的硅不被腐蚀。
配比
20g 100m l 20g 100m l 10m l 50g 100m l 50g 100m l 10m l
腐蚀温度腐蚀速度 85
85
-110
015
1
现象有金字塔形小丘刻蚀后的硅表面发黑, 且有金字塔形小丘
水
KOH
水
异丙醇
KOH
8585
112018
水
KOH
有金字塔形小丘刻蚀后的硅表面发亮, 且表面无金字塔形小丘
水
异丙醇
表2 硅与二氧化硅、氮化硅掩蔽层的选择比实验结果
30130m in 50m in
现象
硅与二氧化硅的选择比实验
硅深度 O 2腐蚀掉的厚度 Λm Λm Si
0135076995
[1**********]73
1
选择比
111∶193194∶195∶1
表面无异常, 掩蔽区完好
硅与氮化硅的选择比实验
硅深度 Λm 氮化硅腐蚀掉的厚度 Λm
[***********][1**********]
表面无异常, 掩蔽区完好
选择比
340∶[1**********]∶132000∶1
4 湿法深槽刻蚀实验结果
利用前面的实验结果, 确定了优化的湿法腐蚀硅工艺技术方案。采用二氧化硅 氮化硅形成复合保护膜的方法, 既可以消除单独用二氧化硅不能作100Λm 以上深槽刻蚀保护膜的问题, 又避免了单独
槽刻蚀技术研究。实验工艺路线和条件如下:
厚度525Λ晶向(100) 的硅材料片→生长1～m 、112Λm 厚的氧化层→L PCVD 淀积0. 1Λm 厚的氮
化硅→光刻刻蚀硅区域→干法刻蚀氮化硅和二氧化硅→去胶→KO H 腐蚀液腐蚀硅。
按照前面的优化KO H 腐蚀液配方和腐蚀条件, 成功地刻蚀出深度达到315Λm 的深槽, 且掩蔽区保护完好, 刻蚀的硅表面也光亮平滑, 如图1～图3所示。
采用氮化硅作保护膜会因为热应力的不匹配而造成氮化硅脱落的问题。利用该工艺方案, 开展了湿法深
第5期张正元等:用于M E M S 的硅湿法深槽刻蚀技术研究521
腐蚀温度、保护技术等湿法腐蚀KO H 腐蚀液配方、
技术研究, 解决了腐蚀中腐蚀区域易于出现小岛而
保护区域易于出现深坑(保护膜脱落或破裂等造成) 的问题, 获得了KO H 湿法深槽刻蚀的优化工艺方案和条件, 为湿法深槽腐蚀获得硅基M E M S 可动部件提供了一种经济实用的方法。参考文献:
图1
湿法腐蚀的深槽形貌图
[1]
刘东栋, 胡海波, 唐衍哲, 等. 基于体硅微机械工艺的光波导器件封装技术[J ]. 机械强度, 2001, 23(4) :
531534.
[2][3][4]
罗均, 谢少荣, 龚振邦. 面向M E M S 的微细加工技术
[J ]. 电加工与模具, 2001, (5) :126.
章吉良, 杨春生. 微机电系统及其相关技术[M ]. 上海:上海交通大学出版社, 2001.
黄庆安. 硅微机械加工技术[M ]. 北京:科学出版社,
1996. 20260.
图2
湿法腐蚀的深槽台阶处的形貌图
[5][6][7][8]
李志信, 罗小兵, 过增元. M E M S 技术的现状及发展趋势[J ]. 传感器技术, 2001, 20(9) :58260.
周兆英, 李志宏. 新世纪的新事业——中国M E M S 调查[J ]. 电子产品世界, 2000, (7) :13214.
王渭源, 鲍敏杭. 微电子机械系统进展和趋势[J ]. 功能材料与器件学报, 1996, 2(3) :1292136.
孙柏林. 微型机电系统技术及其21世纪应用展望
[J ]. 测控技术, 1999, (1) :529.
图3 湿法腐蚀的深槽底部表面刻蚀形貌图
作者简介:张正元(1964-) , 男(汉族) , 高级工程师, 1987年毕业于兰州大学物理系, 获学士学位, 1997年于电子科技大学微电子学系获硕士学位, 主要从事半导体集成电路工艺技术的研究。
5 结 论
本文针对硅基M E M S 深槽刻蚀技术, 开展
新 书 推 介
图书代号:TN 93380, 页数:226页, 定价:35元
作者:M ichael Keating 等; 审校者:沈绪榜, 译者:沈戈等; 出版社:电子工业出版社
内容简介:本书是SOC 设计方面的一本经典著作, 该书的许多关于基于IP 核的SOC 设计方法的基本概念被V S I A 国际标准组织引用。书中的内容主要取材于作者在集成电路设计工程方面的实践经验和理论。本书前5章从SOC 设计的基本概念出
发, 介绍了片上系统设计过程、系统级设计问题(规则和工具) 、核设计过程、R TL 编码指南等方面的基础知识。然后进一步详细讲解了SOC 设计实践方面的方法。在IP 核综合指南、开发硬IP 核、针对可重用设计的封装、IP 核验证指南、IP 核的配置、可重用IP 核的集成、系统级验证、数据和项目管理等方面, 系统地阐述了SOC 可重用设计方法学在集成电路设计实践中的应用。最后, 以国际著名集成电路设计公司的SOC 设计实践活动为例, 讲述了当今最先进的SOC 设计方面的技术。如果您希望了解此次推介图书的详细信息, 欢迎登录华信教育资源网:h ttp : www . hxedu . com . cn 查询, 或者直接与我们联系:北京市万寿路173信箱 教材服务部 100036
电话:[1**********]4; 传真:[1**********]1; E 2. com . cn m ail :edu @phei