第一章 晶体二极管和二极管整流电路
[本章知识点] 1
2345PN
结单向导电原理 晶体二极管的结构分类和型号 晶体二极管的伏安特性并牢记硅
锗二极管的门坎电压和正向导通电压值 二极管的简易测试 单相半波整流电路单相全波整流电路和单相桥式整流电路的组成工作原理以
及简单的计算 6波器的组成及工作原理电容滤波电路的计算稳压二极管稳压电路的稳压原理
[题库] 一填空
1N 型半导体中多数载流子是少数载流子是
P 型 半导体中多数载流子是 少数载流子是
2半导体导电的载流子是金属导电的载流子是
3纯净半导体又称半导
体其内部空穴的数量和自由电子的数量
相等或不等
4PN 结具有即PN 结电阻很小处于态PN 结 偏置时电阻很大处于
状态
5晶体二极管具有
当二极管两端正向电压大于
电压时二极管才能导通其正向压降硅管约为 V 锗管约为
V 6二极管的门坎电压死区电压硅管约为锗管约为
7在二极管测试时应将万用表拨到挡一般用
8晶体管因所加电压过大而并且出现的现象称为热
击穿
9把脉动直流电中脉动成分滤掉的电路称为滤波器常见的滤波器有
10把交流电转换成直流电的过程称为
利用二极管的单向导电性把单相交流电转换成直流电的电路称为 电路
一 选择题 1 晶体二极管的正极电位是-10V 负极电位是-5V 则二极管处于
A 零偏 B. 反偏 C. 正偏 2当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区, 而且所受正向电压大于门坎电压时, 则晶体二极管相当于 ;
A. 大电阻 B. 断开的开关 C. 接通的开关 3稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的
A. PN结的反向击穿特性; B.PN 结的单向导电性;
B.PN 结的正向导通特性; D.PN 结的反向截止特性.
4如下图所示, 已知两个稳压管稳定电压分别为V 1=7V,V 2=9V, 它们的正向压降均为0.7V , 若稳定电流都相等, 则输出电压V 0为
A. 7.7V B. 9V C. 9.7V D. 16V
5单相半波整流电路, 如果电源变压器副边电压V 2=100V, 则负载电压V L 将是
A. 100V B 45V C.90V D. 60V
6
单相桥式整流电路, 如果负载电流为10A, 则流过每只二极管的电流是
A. R ×100Ω或R ×1K Ω B.R ×1K Ω挡 C . R × 10KΩ挡
三判断:
1在半导体内部只有电子是载流子;
( ) 2在外电场作用下半导体同时出现电子电流和空穴电流;
( ) 3用万用表测某晶体二极管的正向电阻时, 插在万用表标有”+”号插孔中的测试棒
(
通常是红色棒)
所连接的二极管的管脚是二极管的正极,
另一电极是负极.
4晶体二极管击穿后立即烧毁;
( ) 5晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时, 反向电流极小; 当反向电压大于反向击穿电压后反向电流会迅速增大;
( ) 6普通二极管的正向伏安特性也具有稳压作用;
( ) 7硅稳压二极管的动态电阻大则稳压性能越好;
( )
8
将一块P 型半导体和一块N 型半导体结合在一起便形成了PN 结. ( ) 10用万用表测二极管的反向电阻时, 黑表棒应接二极管的正极, 红表棒应接二极管的负极.
(
)
四分析计算:
1画出变压器中心抽头式全波整流电路图, 若输出电压V L =54V, 负载电流I L =2A,求:(1) 电源变压器半个次级绕组电压V 2a =V2b =V2=?
(2) 整流二极管承受的最大反向电压V RM ;
(3)流过二极管的平均电流;
2画出桥式整流电路图. 若输出电压V L =9V, 负载电流I L =1A,试求:
(1) 电源变压器次级绕组电压V 2;
(2) 整流二极管承受的最大反向电压V RM ;
(3) 流过二极管的平均电流I V
. 3在下图中,(1) 若有一个二极管V 1内部短路, 整流电路会出现什么现象?
(2) 若有一个二极管V 2虚焊(断路), 整流电路会出现什么现象? (3)若有一个二极管V 3方向接反, 整流电流会出现什么现象
?
4两个稳压二极管稳压值分别为7V 和9V , 将它们组成下图所示四种电路设输入电压V 1值是20V , 求各电路输出电压V 0的值.
5下图中, 设V 1V
2V 3V 4均为理想二极管, 试判断各二极管的状态, 并求出V AB =?
A A B B
6有人在测一个二极管反向电阻时,
为了使用万用表测试棒和管脚接触良好他用两手把两端接触处捏紧, 结果发现管子的反向电阻比较小, 认为不合格但用在电子设备上却工作正常, 这是什么原因?
7在下图,V 为理想二极管v 2=14.1sin314t(V) (1)当开关S 闭合时, 负载电压的平均值V L =? (2)当开关S 打开时,V L =? VRM
=?
第一章 晶体二极管和二极管整流电路
[本章知识点] 1
2345PN
结单向导电原理 晶体二极管的结构分类和型号 晶体二极管的伏安特性并牢记硅
锗二极管的门坎电压和正向导通电压值 二极管的简易测试 单相半波整流电路单相全波整流电路和单相桥式整流电路的组成工作原理以
及简单的计算 6波器的组成及工作原理电容滤波电路的计算稳压二极管稳压电路的稳压原理
[题库] 一填空
1N 型半导体中多数载流子是少数载流子是
P 型 半导体中多数载流子是 少数载流子是
2半导体导电的载流子是金属导电的载流子是
3纯净半导体又称半导
体其内部空穴的数量和自由电子的数量
相等或不等
4PN 结具有即PN 结电阻很小处于态PN 结 偏置时电阻很大处于
状态
5晶体二极管具有
当二极管两端正向电压大于
电压时二极管才能导通其正向压降硅管约为 V 锗管约为
V 6二极管的门坎电压死区电压硅管约为锗管约为
7在二极管测试时应将万用表拨到挡一般用
8晶体管因所加电压过大而并且出现的现象称为热
击穿
9把脉动直流电中脉动成分滤掉的电路称为滤波器常见的滤波器有
10把交流电转换成直流电的过程称为
利用二极管的单向导电性把单相交流电转换成直流电的电路称为 电路
一 选择题 1 晶体二极管的正极电位是-10V 负极电位是-5V 则二极管处于
A 零偏 B. 反偏 C. 正偏 2当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区, 而且所受正向电压大于门坎电压时, 则晶体二极管相当于 ;
A. 大电阻 B. 断开的开关 C. 接通的开关 3稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的
A. PN结的反向击穿特性; B.PN 结的单向导电性;
B.PN 结的正向导通特性; D.PN 结的反向截止特性.
4如下图所示, 已知两个稳压管稳定电压分别为V 1=7V,V 2=9V, 它们的正向压降均为0.7V , 若稳定电流都相等, 则输出电压V 0为
A. 7.7V B. 9V C. 9.7V D. 16V
5单相半波整流电路, 如果电源变压器副边电压V 2=100V, 则负载电压V L 将是
A. 100V B 45V C.90V D. 60V
6
单相桥式整流电路, 如果负载电流为10A, 则流过每只二极管的电流是
A. R ×100Ω或R ×1K Ω B.R ×1K Ω挡 C . R × 10KΩ挡
三判断:
1在半导体内部只有电子是载流子;
( ) 2在外电场作用下半导体同时出现电子电流和空穴电流;
( ) 3用万用表测某晶体二极管的正向电阻时, 插在万用表标有”+”号插孔中的测试棒
(
通常是红色棒)
所连接的二极管的管脚是二极管的正极,
另一电极是负极.
4晶体二极管击穿后立即烧毁;
( ) 5晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时, 反向电流极小; 当反向电压大于反向击穿电压后反向电流会迅速增大;
( ) 6普通二极管的正向伏安特性也具有稳压作用;
( ) 7硅稳压二极管的动态电阻大则稳压性能越好;
( )
8
将一块P 型半导体和一块N 型半导体结合在一起便形成了PN 结. ( ) 10用万用表测二极管的反向电阻时, 黑表棒应接二极管的正极, 红表棒应接二极管的负极.
(
)
四分析计算:
1画出变压器中心抽头式全波整流电路图, 若输出电压V L =54V, 负载电流I L =2A,求:(1) 电源变压器半个次级绕组电压V 2a =V2b =V2=?
(2) 整流二极管承受的最大反向电压V RM ;
(3)流过二极管的平均电流;
2画出桥式整流电路图. 若输出电压V L =9V, 负载电流I L =1A,试求:
(1) 电源变压器次级绕组电压V 2;
(2) 整流二极管承受的最大反向电压V RM ;
(3) 流过二极管的平均电流I V
. 3在下图中,(1) 若有一个二极管V 1内部短路, 整流电路会出现什么现象?
(2) 若有一个二极管V 2虚焊(断路), 整流电路会出现什么现象? (3)若有一个二极管V 3方向接反, 整流电流会出现什么现象
?
4两个稳压二极管稳压值分别为7V 和9V , 将它们组成下图所示四种电路设输入电压V 1值是20V , 求各电路输出电压V 0的值.
5下图中, 设V 1V
2V 3V 4均为理想二极管, 试判断各二极管的状态, 并求出V AB =?
A A B B
6有人在测一个二极管反向电阻时,
为了使用万用表测试棒和管脚接触良好他用两手把两端接触处捏紧, 结果发现管子的反向电阻比较小, 认为不合格但用在电子设备上却工作正常, 这是什么原因?
7在下图,V 为理想二极管v 2=14.1sin314t(V) (1)当开关S 闭合时, 负载电压的平均值V L =? (2)当开关S 打开时,V L =? VRM
=?