电子技术基础 参 考 答 案
一、填空题（每空1分，共20分）
1、电子电路中的信号可以分为两类，一类是在时间和幅度上都是连续的信号，称为模拟信号；另一类在时间和幅度上都是离散的信号，称为_数字信号（ 脉冲信号）_______。
2、晶体二极管具有 单向导电 特性。
3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，它具有_热敏性 ，杂敏性，光敏性等特殊性质，利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。
4、共集电极放大电路又称射极输出器，它的电压放大倍数接近于 1 ，输出信号与输入信号同相，输入电阻大，输出电阻小。
5、若在放大电路中引入电压串联负反馈，则可以稳定输出 电压 ，并使输入电阻增大。
6、单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现 截止 失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。
8、逻辑函数的表示方法通常有四种，分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻辑电路图(逻辑图)和卡诺图。
9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。
10、当变量A、B、C分别为1、0、0时，(A+B+C)AB= O 。
11、TTL或非门多余输入端的处理方法是接低平，接地， 与其他引脚连在一起 。
12、当多个三态门的输出端连在一条总线上时，应注意任何时刻 只能有一个门电路处于工作态 。
13、在组合逻辑电路中，当输入信号改变状态时，输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为 竞争冒险 。
14、将数字信号转换为模拟信号，应选用 D / A转换器 。 15、A/D转换的过程可分为 采样 、保持、量化、编码4个步骤。 16、A/D转换器两个最重要的指标是 分辨率 和转换速度。
17、 能完成两个一位二进制数相加，并考虑到低位进位的器件称为 全加器 。
18、实现将公共数据上的数字信号按要求分配到不同电路中去的电路叫 数据分配器
19、OC门在使用时输出端应接 上拉电阻 和电源。
20、TTL非门的灌电流负载发生在输出 低 电平情况下，负载电流越大，则输出电平越高。
二、选择题（每选对一项得1分，共20分）
1、用一只伏特表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压，读数只有 0.7 伏，这种情况表明该稳压二极管（ B ）。
（A） 工作正常 （B） 接反
（C） 处于击穿状态 （D） 以上各项都不是 2、晶体管工作在放大区时的偏置状态为（ C ）。 （A） b与e极，b与 c极间均正向偏置 （B）b与e极，b与 c极间均反偏
（C） b与e极间正偏，b与c极间反偏 （D）b与e极间反偏，b与c极间正偏
3、单相半波整流电路，如果电变压器副边电压V2=100V，则负载电压 Vo将是( B )。
（A）100V （B）45V （C）90V （D）60V
4、直流负反馈是指（ C ）。
（A）直接耦合放大电路中所引入的负反馈 （B）只有放大直流信号时才有的负反馈 （C） 在直流通路中的负反馈 （D） 以上各项都不是
5、如图所示负反馈放大器的方框图，它属于负反馈的类型是（ B ）。 （A） 电流串联 （B） 电压串联
（C） 电流并联 （D） 电压并联
6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ C ）。
（A）电阻阻值有误差 （B）晶体管参数的分散性 （C）晶体管参数受温度影响 （D）电源电压不稳定
7、一位十六进制数可以用（ C ）位二进制数来表示。
（A）1 （B）2 （C）4 （D）16 8、下列四个数中与十进制数（163）10不相等的是（ D ）。 （A）（A3）16 （B）（10100011）2 （C）（[1**********]1）8421BCD （D）（100100011）8
9、一个8选一数据选择器的数据输入端有（ D ）个。 （A）1 （B）2 （C）3 （D）8 10、用与非门组成的基本RS触发器的所谓“状态不定”，是发生在R、S端同时加入信号（ A ）时。
（A）R=0，S=0； （B）R=0，S=1； （C）R=1，S=0； （D）R=1，S=1。
11、用0、1两个符号对100个信息进行编码，则至少需要（ B ） (A) 8位 (B) 7位 (C) 9位 (D) 6位
12、相邻两组编码只有一位不同的编码是（ D ） (A) 2421BCD码 (B) 8421BCD码 (C) 余3码 (D) 格雷码
13、一只四输入端与非门，使其输出为0的输入变量取值组合有（ D ）种。
(A) 15 (B) 8 (C) 7 (D) 1 14、已知某电路的真值表如题表所示，该电路的逻辑表达式为（ C ）。
(A) F=C (B) F=ABC (C) F=AB+C (D) 都不是
15、 对LSTTL与非门电路，以下（ A ）说法是错误的： (A) 输入端悬空会造成逻辑出错
(B) 输入端接510kΩ的大电阻到地相当于接高电平 (C) 输入端接510Ω的小电阻到地相当于接低电平 (D) 输入端接低电平时有电流从门中流出
16、TTL与非门的低电平输入电流为1.0mA，高电平输入电流为10μA，最大灌电流为8mA，最大拉电流为400μA ，则其扇出系数为N=（ A ）。
(A) 8 (B) 10 (C) 40 (D) 20
17、下列电路中，不属于组合逻辑电路的是（ C ）。 （A） 译码器 （B） 全加器 （C） 寄存器 （D） 编码器
18、组合逻辑电路中的险象是由于（ C ）引起的。 （A） 电路未达到最简 （B） 电路有多个输出 （C） 电路中的时延 （D） 逻辑门类型不同
19、题图所示为某时序逻辑电路的时序图，由此可判定该时序电路具有的功能是（ A ）。
（A） 十进制计数器 （B） 九进制计数器 （C） 四进制计数器 （D） 八进制计数器
20、由555定时器构成的电路如题图所示，该电路的名称是（ C ）。
（A） 单稳态触发器 （B） 施密特触发器 （C） 多谐振荡器 （D） RS 触发器
三、判断题（每空1分，共15分）
1、( × )用万用表测二极管的反向电阻时，黑表棒应接二极管的正极，红表棒应接二极管的负极。
2、( √ )晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
3、（×）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。 4、( × )欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入电压并联负反馈。
5、( √ )欲将正弦波电压叠加上一个直流量，可选用加法运算电路。 6、（√ ）一个理想的差动放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
7、（× ）反相比例运算电路中引入了一个负反馈，同相比例运算放大电路中引入了一个正反馈。
8、（ √ ）整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。 9、（ √ ）反相求和运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均小于零。
10、( √ )三态门三个状态是高阻态，高电平和低电平。
11、如题图（VDD）所示是用CMOS与非门组成的单稳态触发器电路，vI为输入触发脉冲。指出稳态时a 、b 、d 、e 各点的电平高低；为加大输出脉冲宽度所采取的下列措施哪些是对的，哪些是错的。如果是对的，在（）内打√，如果是错的，在（）内打× 。
（1）加大Rd （ × ）； （2）减小R （ × ）； （3）加大C （ √ ）； （4）提高VDD （ × ）；
（5）增加输入触发脉冲的宽度（ × ）。
四、分析与计算题（共45分）
1、（3分）如果将一个二极管看做电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？
答：将二极管看做一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
(1）二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻很大。
(2）二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。
2、（3分）一个晶体三极管接在放大电路中，看不出它的型号，也无具他标志，测得它的三个电极对地的电位分别如图题所示。试判断该管的导电电类型（是PNP还是NPN) 和三个电极的名称以
及
半导体材料是硅还是锗。
答：处于放大状态下的三极管，无论是PNP管或是NPN管，基极电位总是处于中间值，据此首先判断出基极。通常发射结的电压对硅材料为0.6～0.7V，对锗材料约为0.2V。而集电结的电压一般为若干伏的数量极，据此区分余下的两个电极哪一个是集电极，哪一个是发射极。然后根据发射结的电位是基极比发射极高还是比发射极低来区分是NPN或PNP管。
根据上述原则．处于中间电位的y极是基极；和y极电位相差0.2V的x极是发射极；和y极电位相差6V的z极是集电极。因为基极比发射极电位低0.2V，可知这是锗材料NPN管。
3、（12分）题图(a）所示放大电路，3DG32的rbb′=55Ω，其输出特性曲线如图（b）所示，RC=3kΩ,RB=200kΩ，VCC=12V。
（1）（2分）设输入一正弦波电流，求输出电压的最大可能峰-峰值。 （2）（4分）求小信号电压放大倍数及其分贝值。 （3）（2分）为了使输出电压在现有供电条件下达到极限值，应如何调整偏置电阻RB ?
（4）（4分）为了使输出电流极限动态范围的峰-峰值为5mA，应如何调整电路元件值？
解：
（1）按RC=3kΩ画负载线，示于题图（b）中曲线① 。
根据题图（a）可列出如下方程；
IBQ≈
VCC-VBEQ
RB
=
12-0.7-6
(A)=56.5⨯103
200⨯10
于是求得工作点示于图（b）Q1点。
因为当IB=80μA时，器件达到饱和与放大工作状态的分界点，故容许输入正弦波电流峰-峰值为
IBPP=2(80-56.5)=47（μA）。
由曲线图可得β=50时相应的集电极电流峰-峰值为
ICPP=47×l0-6×50=2.35（mA）。
输出电压最大可能峰-峰值
VOPP=ICPP⨯RC=2.35⨯3=7.05(V)
（2）
rbe=rbb'+
26β26⨯50
=50+=603(Ω)ICQ2.35
A=
βRC
rbe
=
50⨯3000
=249603
分贝值 20lg249=48dB
（3）为了使输出电压在现有供电电压下达到极限值，应将Q点
置于负载线的中央，由图（b）中Q2点可知，IBQ约为39μA。则偏流电阻应为
RB=
VCC-VBE12-0.7
==290(kΩ)IBQ39⨯10-6
取标称值300kΩ。
（4）为了使输出电流极限动态范围的峰-峰值为5mA，首先应将负载电阻减小，交于Icm=5mA的膝弯点
RC=
VCC-VCES12-0.3
==2.34(kΩ)Icm5
取标称值2.4kΩ。画负载线示于图中曲线②。
Q点应位于Q3点，基极偏流IB3Q应为50μA，相应的基极偏流电阻
RB=
VCC-VBE12-0.7
==234(kΩ)IBQ50⨯10-6
取标称值240kΩ。
4、（6分）某同学做基本共发射极放大电路实验，现有如题图所示的5种不同接线方式。从正确、合理、方便和实用等方而综合衡量，哪一种最为可取？
答：图（a）用一个电位器RB调节偏流，当RB调至零值时，电源电压VCC全部加到发射结有可能损坏晶体管。
图（b）有两个缺点：第一是所选器件的β值偏大或偏小时，为了得到合适的VCEQ，RC值将会偏小或偏大，不满足电压放大倍数所要求的值：第二是当RC不慎调至零值时，可能误导认为电路发生了其他故障。
图（c）存在有图（b）的第一个缺点。 图（e）电容C2的极性接反了。 图（d）最为可取。
5、（6分）题图所示镜像电流源电路，所有器件参数相同，证明：
IC2=
IR1+
β1+β
证：由题图可得
IR=IC1+IB3
IB3=
IE3I+IB2
=B1
1+β1+β
但
IB1=IB2=故
IB3=
2IC2
β1+βIC2
β
又因 IC1=IC2 于是
⎡2⎤
IR=IC2⎢1+⎥
⎣β1+β⎦
移项得
IC2=
1+
IR
β1+β
6、（6分）由与非门构成的基本RS触发器如题图所示，已知输入端的电压波形，试画出与之对应的Q和的波形。
解
7、（9分）电路如题图所示，G1、G2均为TTL门电路，其输出高电平VOH=3.6V，输出低电平VOL=O.3V，最大允许拉电流IOH=0.4mA，最大允许灌电流IOL=30mA，（max）（max）三极管T导通时VBE=0.7V，饱和时VCES=0.3V，发光二极管正向导通时压降VD=1.4V
（1）当输入A、B、C、D取何值时，VD有可能发光？
（2）为使T管饱和，T的β值应为多少？ 解：（1）要使发光二极管VD发光必须使T管饱和导通，要使T管饱和导通，必须使G1输出高电平，G2输出低电平，即A=B=0，C=D=l，因此，当且仅当ABCD=0011时，VD才可能发光。
（2）为使三极管导通时进入饱和状态，三极管β的选择必须满足IB≥IBS，式中
IB=
VOH-VBE-VOL3.6-0.7-0.3
==0.26(mA)RB10
IBS=
VCC-VD-VCES-VOL5-1.4-0.3-0.31.5
==
βRCβ⨯0.2β
代入给定数据后，可求得β≥58 。
电子技术基础 参 考 答 案
一、填空题（每空1分，共20分）
1、电子电路中的信号可以分为两类，一类是在时间和幅度上都是连续的信号，称为模拟信号；另一类在时间和幅度上都是离散的信号，称为_数字信号（ 脉冲信号）_______。
2、晶体二极管具有 单向导电 特性。
3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，它具有_热敏性 ，杂敏性，光敏性等特殊性质，利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。
4、共集电极放大电路又称射极输出器，它的电压放大倍数接近于 1 ，输出信号与输入信号同相，输入电阻大，输出电阻小。
5、若在放大电路中引入电压串联负反馈，则可以稳定输出 电压 ，并使输入电阻增大。
6、单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现 截止 失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。
8、逻辑函数的表示方法通常有四种，分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻辑电路图(逻辑图)和卡诺图。
9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。
10、当变量A、B、C分别为1、0、0时，(A+B+C)AB= O 。
11、TTL或非门多余输入端的处理方法是接低平，接地， 与其他引脚连在一起 。
12、当多个三态门的输出端连在一条总线上时，应注意任何时刻 只能有一个门电路处于工作态 。
13、在组合逻辑电路中，当输入信号改变状态时，输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为 竞争冒险 。
14、将数字信号转换为模拟信号，应选用 D / A转换器 。 15、A/D转换的过程可分为 采样 、保持、量化、编码4个步骤。 16、A/D转换器两个最重要的指标是 分辨率 和转换速度。
17、 能完成两个一位二进制数相加，并考虑到低位进位的器件称为 全加器 。
18、实现将公共数据上的数字信号按要求分配到不同电路中去的电路叫 数据分配器
19、OC门在使用时输出端应接 上拉电阻 和电源。
20、TTL非门的灌电流负载发生在输出 低 电平情况下，负载电流越大，则输出电平越高。
二、选择题（每选对一项得1分，共20分）
1、用一只伏特表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压，读数只有 0.7 伏，这种情况表明该稳压二极管（ B ）。
（A） 工作正常 （B） 接反
（C） 处于击穿状态 （D） 以上各项都不是 2、晶体管工作在放大区时的偏置状态为（ C ）。 （A） b与e极，b与 c极间均正向偏置 （B）b与e极，b与 c极间均反偏
（C） b与e极间正偏，b与c极间反偏 （D）b与e极间反偏，b与c极间正偏
3、单相半波整流电路，如果电变压器副边电压V2=100V，则负载电压 Vo将是( B )。
（A）100V （B）45V （C）90V （D）60V
4、直流负反馈是指（ C ）。
（A）直接耦合放大电路中所引入的负反馈 （B）只有放大直流信号时才有的负反馈 （C） 在直流通路中的负反馈 （D） 以上各项都不是
5、如图所示负反馈放大器的方框图，它属于负反馈的类型是（ B ）。 （A） 电流串联 （B） 电压串联
（C） 电流并联 （D） 电压并联
6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ C ）。
（A）电阻阻值有误差 （B）晶体管参数的分散性 （C）晶体管参数受温度影响 （D）电源电压不稳定
7、一位十六进制数可以用（ C ）位二进制数来表示。
（A）1 （B）2 （C）4 （D）16 8、下列四个数中与十进制数（163）10不相等的是（ D ）。 （A）（A3）16 （B）（10100011）2 （C）（[1**********]1）8421BCD （D）（100100011）8
9、一个8选一数据选择器的数据输入端有（ D ）个。 （A）1 （B）2 （C）3 （D）8 10、用与非门组成的基本RS触发器的所谓“状态不定”，是发生在R、S端同时加入信号（ A ）时。
（A）R=0，S=0； （B）R=0，S=1； （C）R=1，S=0； （D）R=1，S=1。
11、用0、1两个符号对100个信息进行编码，则至少需要（ B ） (A) 8位 (B) 7位 (C) 9位 (D) 6位
12、相邻两组编码只有一位不同的编码是（ D ） (A) 2421BCD码 (B) 8421BCD码 (C) 余3码 (D) 格雷码
13、一只四输入端与非门，使其输出为0的输入变量取值组合有（ D ）种。
(A) 15 (B) 8 (C) 7 (D) 1 14、已知某电路的真值表如题表所示，该电路的逻辑表达式为（ C ）。
(A) F=C (B) F=ABC (C) F=AB+C (D) 都不是
15、 对LSTTL与非门电路，以下（ A ）说法是错误的： (A) 输入端悬空会造成逻辑出错
(B) 输入端接510kΩ的大电阻到地相当于接高电平 (C) 输入端接510Ω的小电阻到地相当于接低电平 (D) 输入端接低电平时有电流从门中流出
16、TTL与非门的低电平输入电流为1.0mA，高电平输入电流为10μA，最大灌电流为8mA，最大拉电流为400μA ，则其扇出系数为N=（ A ）。
(A) 8 (B) 10 (C) 40 (D) 20
17、下列电路中，不属于组合逻辑电路的是（ C ）。 （A） 译码器 （B） 全加器 （C） 寄存器 （D） 编码器
18、组合逻辑电路中的险象是由于（ C ）引起的。 （A） 电路未达到最简 （B） 电路有多个输出 （C） 电路中的时延 （D） 逻辑门类型不同
19、题图所示为某时序逻辑电路的时序图，由此可判定该时序电路具有的功能是（ A ）。
（A） 十进制计数器 （B） 九进制计数器 （C） 四进制计数器 （D） 八进制计数器
20、由555定时器构成的电路如题图所示，该电路的名称是（ C ）。
（A） 单稳态触发器 （B） 施密特触发器 （C） 多谐振荡器 （D） RS 触发器
三、判断题（每空1分，共15分）
1、( × )用万用表测二极管的反向电阻时，黑表棒应接二极管的正极，红表棒应接二极管的负极。
2、( √ )晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
3、（×）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。 4、( × )欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入电压并联负反馈。
5、( √ )欲将正弦波电压叠加上一个直流量，可选用加法运算电路。 6、（√ ）一个理想的差动放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
7、（× ）反相比例运算电路中引入了一个负反馈，同相比例运算放大电路中引入了一个正反馈。
8、（ √ ）整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。 9、（ √ ）反相求和运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均小于零。
10、( √ )三态门三个状态是高阻态，高电平和低电平。
11、如题图（VDD）所示是用CMOS与非门组成的单稳态触发器电路，vI为输入触发脉冲。指出稳态时a 、b 、d 、e 各点的电平高低；为加大输出脉冲宽度所采取的下列措施哪些是对的，哪些是错的。如果是对的，在（）内打√，如果是错的，在（）内打× 。
（1）加大Rd （ × ）； （2）减小R （ × ）； （3）加大C （ √ ）； （4）提高VDD （ × ）；
（5）增加输入触发脉冲的宽度（ × ）。
四、分析与计算题（共45分）
1、（3分）如果将一个二极管看做电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？
答：将二极管看做一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
(1）二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻很大。
(2）二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。
2、（3分）一个晶体三极管接在放大电路中，看不出它的型号，也无具他标志，测得它的三个电极对地的电位分别如图题所示。试判断该管的导电电类型（是PNP还是NPN) 和三个电极的名称以
及
半导体材料是硅还是锗。
答：处于放大状态下的三极管，无论是PNP管或是NPN管，基极电位总是处于中间值，据此首先判断出基极。通常发射结的电压对硅材料为0.6～0.7V，对锗材料约为0.2V。而集电结的电压一般为若干伏的数量极，据此区分余下的两个电极哪一个是集电极，哪一个是发射极。然后根据发射结的电位是基极比发射极高还是比发射极低来区分是NPN或PNP管。
根据上述原则．处于中间电位的y极是基极；和y极电位相差0.2V的x极是发射极；和y极电位相差6V的z极是集电极。因为基极比发射极电位低0.2V，可知这是锗材料NPN管。
3、（12分）题图(a）所示放大电路，3DG32的rbb′=55Ω，其输出特性曲线如图（b）所示，RC=3kΩ,RB=200kΩ，VCC=12V。
（1）（2分）设输入一正弦波电流，求输出电压的最大可能峰-峰值。 （2）（4分）求小信号电压放大倍数及其分贝值。 （3）（2分）为了使输出电压在现有供电条件下达到极限值，应如何调整偏置电阻RB ?
（4）（4分）为了使输出电流极限动态范围的峰-峰值为5mA，应如何调整电路元件值？
解：
（1）按RC=3kΩ画负载线，示于题图（b）中曲线① 。
根据题图（a）可列出如下方程；
IBQ≈
VCC-VBEQ
RB
=
12-0.7-6
(A)=56.5⨯103
200⨯10
于是求得工作点示于图（b）Q1点。
因为当IB=80μA时，器件达到饱和与放大工作状态的分界点，故容许输入正弦波电流峰-峰值为
IBPP=2(80-56.5)=47（μA）。
由曲线图可得β=50时相应的集电极电流峰-峰值为
ICPP=47×l0-6×50=2.35（mA）。
输出电压最大可能峰-峰值
VOPP=ICPP⨯RC=2.35⨯3=7.05(V)
（2）
rbe=rbb'+
26β26⨯50
=50+=603(Ω)ICQ2.35
A=
βRC
rbe
=
50⨯3000
=249603
分贝值 20lg249=48dB
（3）为了使输出电压在现有供电电压下达到极限值，应将Q点
置于负载线的中央，由图（b）中Q2点可知，IBQ约为39μA。则偏流电阻应为
RB=
VCC-VBE12-0.7
==290(kΩ)IBQ39⨯10-6
取标称值300kΩ。
（4）为了使输出电流极限动态范围的峰-峰值为5mA，首先应将负载电阻减小，交于Icm=5mA的膝弯点
RC=
VCC-VCES12-0.3
==2.34(kΩ)Icm5
取标称值2.4kΩ。画负载线示于图中曲线②。
Q点应位于Q3点，基极偏流IB3Q应为50μA，相应的基极偏流电阻
RB=
VCC-VBE12-0.7
==234(kΩ)IBQ50⨯10-6
取标称值240kΩ。
4、（6分）某同学做基本共发射极放大电路实验，现有如题图所示的5种不同接线方式。从正确、合理、方便和实用等方而综合衡量，哪一种最为可取？
答：图（a）用一个电位器RB调节偏流，当RB调至零值时，电源电压VCC全部加到发射结有可能损坏晶体管。
图（b）有两个缺点：第一是所选器件的β值偏大或偏小时，为了得到合适的VCEQ，RC值将会偏小或偏大，不满足电压放大倍数所要求的值：第二是当RC不慎调至零值时，可能误导认为电路发生了其他故障。
图（c）存在有图（b）的第一个缺点。 图（e）电容C2的极性接反了。 图（d）最为可取。
5、（6分）题图所示镜像电流源电路，所有器件参数相同，证明：
IC2=
IR1+
β1+β
证：由题图可得
IR=IC1+IB3
IB3=
IE3I+IB2
=B1
1+β1+β
但
IB1=IB2=故
IB3=
2IC2
β1+βIC2
β
又因 IC1=IC2 于是
⎡2⎤
IR=IC2⎢1+⎥
⎣β1+β⎦
移项得
IC2=
1+
IR
β1+β
6、（6分）由与非门构成的基本RS触发器如题图所示，已知输入端的电压波形，试画出与之对应的Q和的波形。
解
7、（9分）电路如题图所示，G1、G2均为TTL门电路，其输出高电平VOH=3.6V，输出低电平VOL=O.3V，最大允许拉电流IOH=0.4mA，最大允许灌电流IOL=30mA，（max）（max）三极管T导通时VBE=0.7V，饱和时VCES=0.3V，发光二极管正向导通时压降VD=1.4V
（1）当输入A、B、C、D取何值时，VD有可能发光？
（2）为使T管饱和，T的β值应为多少？ 解：（1）要使发光二极管VD发光必须使T管饱和导通，要使T管饱和导通，必须使G1输出高电平，G2输出低电平，即A=B=0，C=D=l，因此，当且仅当ABCD=0011时，VD才可能发光。
（2）为使三极管导通时进入饱和状态，三极管β的选择必须满足IB≥IBS，式中
IB=
VOH-VBE-VOL3.6-0.7-0.3
==0.26(mA)RB10
IBS=
VCC-VD-VCES-VOL5-1.4-0.3-0.31.5
==
βRCβ⨯0.2β
代入给定数据后，可求得β≥58 。