凝固技 2006年第26卷第12期
多晶硅的真空感应熔炼及定向凝固研究
吴亚萍 张 剑 高学鹏 李廷举
(大连理工大学)
摘 要 以工业硅为原料进行了多晶硅的真空感应熔炼及定向凝固研究, 用自行设计的真空定向凝固设备制备了多晶硅铸锭。金相显微镜观察显示铸锭的显微组织为粗大的柱状晶, 经电感耦合等离子体发射光谱仪分析, 其纯度由99150%提高到99186%, 各种杂质含量都有所减少。
关键词 真空感应熔炼; 定向凝固; 多晶硅中图分类号 TF533. 2+1; TF748. 52 文献标志码 A 文章编号 1001-2249(2006) 12-0792-03
在能源和环保两大驱动力的作用下, 全球光伏产业
[1]
年平均增长超过30%。光伏产业用多晶硅锭是以高纯多晶硅为原料定向凝固铸成, 而高纯多晶硅的主要制备方法———西门子法———能耗大、污染重, 且此方法的关键技术一直由美、日、德三国垄断, 不向中国输出。我国的高纯多晶硅只能依赖大量进口, 但远不能满足市场需求, 导致光伏产业的发展受制于人, 因此发展具有自主知识产权的多晶硅生产新技术迫在眉睫。
多晶硅锭。, , []
; [3, 4]
的特点, 。本研究以低成本工业硅制得高纯多晶硅锭为目的, 自行研制了一台将真空感应熔炼技术与定向凝固技术相结合的试验装置, 并在此基础上进行了工业硅的真空感应熔炼及定向凝固试验, 利用金相显微镜和电感耦合等离子体发射光谱仪对样品进行了分析。
电磁感应熔化, 定向凝固采用水冷铜底座实现
。
1. 2. 3. 加料器 4. 保温炉 5. 真空系
试验所用的原料为2202工业硅, 试验中先开启机械泵, 抽真空至10Pa 后开扩散泵将真空炉抽至高真
空, 然后启动晶闸管中频电源, 按一定的升温曲线逐步升高感应器工作电压, 以避免因功率过大造成炉温突然急剧升高, 导致短期内炉内大量放气而使得真空度显著下降。待工业硅熔化后用双比色红外测温仪测温, 并在1773K 保温30m in, 用机械手将熔融硅浇注到定向凝
1 试验方法
电磁感应的热效应被广泛应用于导电材料的热处
[5]
理及感应熔炼中, 但是工业硅的室温电阻率为213×3
10Ω・m , 在室温下硅是无法与电磁场相互作用的。然而, 随着温度的升高, 硅的电阻率急剧下降, 在873K 左右时减小到5Ω・m , 此时Si 才达到了电磁悬浮熔炼
[6]-7
的基本要求, 硅在熔点时的电阻率为8×10Ω・m , 与金属相当。试验中使用石墨坩埚预热硅试样至873K 左右, 使工业硅的电磁感应熔炼成为可能。
本研究在自主设计的定向凝固设备中进行, 熔炼、浇注与定向凝固均在真空环境中进行, 试验装置示意见图1, 由真空系统、熔炼系统和定向凝固系统组成。真空系统由机械泵和扩散泵两级系统组成, 熔炼装置采用
固坩埚内, 利用保温炉抑制侧向散热, 通水强制冷却底模实现定向凝固。将硅锭沿纵截面切割, 样品经研磨抛光后, 用20%的Na OH 溶液腐蚀20m in, 采用MEF 23高温金相显微镜观察显微组织, 样品取样后使用Op ti m a 2000DV 电感耦合等离子发射光谱仪进行纯度分析。
2 试验结果及分析
211 金相显微组织
定向凝固样品的金相显微组织见图2。铸造多晶硅中存在大量的晶界, 洁净的晶界不是电活性的, 对少数载流子寿命并无影响或者只有微小的影响, 但是杂质易于在晶界处偏聚或沉淀, 此时晶界将具有电活性, 会显著降低少数载流子寿命, 晶界越多影响越大。但是有研究表明, 如果晶界垂直于器件的表面, 晶界对材料的
[7]
电学性能几乎没有影响。由图2可看出, 经过定向凝
收稿日期:2006-10-09
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50474055)
第一作者简介:吴亚萍, 女, 1982年出生, 硕士研究生, 大连理工大学材料科学与工程学院, E 2mail:wuyap ing315@1631com
通讯作者:李廷举, 男, 教授, 大连理工大学材料科学与工程学院, 大连(116023) , 电话:0411-84708940, E -mail:tjuli@dlut 1edu 1cn
792
多晶硅的真空感应熔炼及定向凝固研究 吴亚萍等
固处理后, 长成了大晶粒柱状晶。大晶粒使得晶界减
少, 柱状晶有利于后续处理切片时使晶界垂直于硅片表面, 减少晶界对材料电学性能的影响
。
式(1) 、式(2) 也可以写成:
ρSi
ωP =κ(3) ・x 1
100ρSi 2
ωP 2=κ(4) ・x ) 2・100κ式中, x 为磷的质量分数; κ1、2为熔硅表面磷的蒸发速
率常数; ρ. 55×Si 为Si 的密度。1823K 时, κ1=410
-6
m /s, κ. 56×102=2
-3
m /s 。
[9]
图2 定向凝固样品的金相显微组织
212 电感耦合等离子发射光谱分析
将试样取样后进行电感耦合等离子发射光谱分析
成分, 各杂质含量见表1。
表1 不同试样的杂质含量
样品
P
Fe
A l
w B
若忽略硅的蒸发损失, 则
2
(κ=-1x +κ2x )
d t V
整理并积分得:
κ1
x t =
κκ) ・exp -κ2+(2+1t )
x 0
V
(5)
(6)
%
式中, A 、V 分别为熔硅的表面积和体积; x 0为工业硅中
的磷含量。
(61h 后, 磷CP 测得的磷含量为0
1。2定向凝固对去除金属杂质的影响
定向凝固之后工业硅中的金属杂质都有所减少, Fe 、A l 、Ca 、Ti 和Cu 的除杂效率分别为6619%、7913%、4216%、6812%和7316%。
Ca Ti Cu 01原始样[***********][**************]18
定向凝固试样[***********]0821001杂质去除率/%
6512
19
3
16
16
之后, 99150%提高到99186%。21211 真空熔炼对去除磷杂质的影响
多杂质的粗金属或多元素合金, 在温度升高后, 蒸气压大的元素先挥发, 留下蒸气压小的元素, 这就是真空提纯的依据。蒸气压(p ) 相差越大, 提纯的效果越好。在一定温度下, 磷和硅的蒸气压(p ) 相差很大(见表2) 。
表2 磷和硅的蒸气压比
温度/K
lg (p /p )
150010196
160010122
17009157
18008199
20008101
这些杂质元素能够被去除的原因可通过凝固的溶
质分配系数k (k =C B , s /CB, 1, C B, s 、C B, 1分别表示固液相的平衡浓度) 来说明(见图3) , 有两种情况。对硅与杂质元素组成的相图, 当k >1时, 先凝固的固相含有较多的杂质, 不利于杂质的去除。
由表2数据可知, 磷和硅的蒸气压相差很大, 在Si 没有熔化的阶段, 就开始有磷蒸发出来被真空装置带走, 在硅完全熔化保温期间, 两者依然相差很大, 所以可以在硅蒸发损失很小的条件下, 很好地去除其中的磷杂质。
[8]
在1823K 时, 磷以单原子和双原子形式蒸发, 其蒸发速率分别为:
ωP =4. 37×10-3・p P ・ωP 2=4. 37×10-3・p P 2・
T P T
(1) (2)
(a ) k 1
图3 杂质元素去除原理图
(C 0为原始杂质浓度, T 0为此浓度值时的液相线温度)
当k
状态, 然后进行定向凝固时, 最先凝固的固相杂质含量为C S , 比C 0减少, 若经多次定向凝固, 杂质含量将不断减少, 可以达到除杂的目的。工业硅中的大部分金
[11]
属杂质, 如Fe 、Ti 、Cu 的平衡分配系数很小, 分别为
-6-6-6
6140×10、2100×10、8100×10, 根据理论分析, 这些杂质可以通过多次定向凝固很好地去除。
[10]
式中, ω为蒸发速率; p 为蒸气压; M 为原子量; T 为蒸发
温度。
793
轻有色合金 2006年第26卷第12期
大型铝铸件的铸造工艺
杨为勤 谢国峰(武昌造船厂)
摘 要 大型铝铸件, 按其形状可分为常见形状铸件和异常形状铸件, 前者与后者相比, 铸造工艺规律性较强。对大型常见形状铝铸件按套类、帽类、环类、板类、箱类进行分类, 根据多年的生产实践经验, 给出了较为成熟的铸造工艺设计方法, 并对大型常形铝铸件的尺寸保证、变形预防、充型方式、补缩效果及提高铸造工艺出品率等问题进行了探讨。关键词 铝合金; 大型常形铸件; 工艺设计模式中图分类号 TG14612+2 文献标志码 A 文章编号 1001-2249(2006) 12-0794-03
1 大型常见形状铝铸件铸造工艺的确定
大型铝铸件在凝固过程中, 由于泥芯的阻碍作用, 铸件外形与芯腔的收缩率不一致, 可在水玻璃砂芯或树脂砂芯内放置硬砂块, 水玻璃砂中应加锯末3%～5%(质量分数) 以提高其退让性。对于平面方向尺寸较大, 但高度方向较小的铝铸件, 其模型与铸件都很容易产生变形, 我们根据铸件的具体结构和形状加放防变形拉筋来加以处理。度较大。在设计浇注系统时[1～3]
满这些隔板铝铸件, , 套类、帽类、环类、板类、箱类等五类, 并对较为成熟的铸造工艺简介如下。
2 大型常见形状铝铸件分类及工艺简介
211 套类铸件
当套类铸件高度≤1m , 且高度/外径≤112时, 一
般采用立浇方式, , 在底部外, 。当m , /时, 一般采用卧浇(或椭圆) 冒口, 在水, 从补缩包上向铸件开设浇道浇入。对于壁厚相对较薄、补缩通道不够的套类铸件, 采用立浇方式时, 可在高度方向的中部分型, 设置补缩包, 以减短补缩距离; 采用卧浇方式时, 可在水平分型面上铸件两侧设置补缩包, 其内浇道在铸件上、下半型位置处向上及向下各开高些, 甚至可在铸件下半圆处进行局
收稿日期:2006-09-15
第一作者简介:杨为勤, 男, 1956年出生, 高级工程师, 武昌造船厂金属制造分厂, 武汉(430064) , 电话:027-88072306, E -mail:y [email protected]
3 苏彦庆, 郭景哲, 刘畅, 等1定向凝固技术与理论研究的进展1特种铸造及有色合金, 2006, 26(1) :25～304 周振平, 李荣德1定向凝固实验研究现状1特种铸造及有色合金,
2003(2) :35～375 郭景杰, 张铁军, 苏彦庆, 等1电磁技术在铸造中的研究与应用1特
3 结论
(1) 利用自主设计的真空定向凝固设备制得了多
晶硅锭, 其纯度达到99186%。
(2) 真空处理能很好地去除工业硅中的磷杂质。I CP 测得磷含量由0100259%降为0100090%, 与理论计算结果较为符合。
(3) 理论分析表明, 定向凝固可以去除工业硅中平衡分配系数小于1的杂质。工业硅中的金属杂质平衡分配系数都小于1, 试验结果表明定向凝固之后金属杂质都有不同程度的减少。
参 考 文 献
1 Adolf G, Christ opher H 1Phot ovoltaic Materials, Past, Present, Future 1
Solar Energy Materials &Solar Cells, 2000, 62:1～19
2 戴永年, 杨斌1有色金属材料的真空冶金1北京:冶金工业出版社,
20001
种铸造及有色合金, 2002(3) :37～39
6 温宏权, 毛协民, 张军, 等1太阳能级硅的电磁约束感应熔炼1太阳能学报, 1996, 7(4) :344～3477 席珍强, 杨德仁, 陈君1铸造多晶硅的研究进展1材料导报, 2001,
15(2) :67～69
8 Morita K, M iki T 1Ther modyna m ics of Solar 2grade 2silicon Refining 1I nter 2metallics, 2003(11) :1111～1117
9 M iki T, Morita K, Sano N 1Ther modyna m ics of Phos phorus in Molten Sili 2
con 1Metallurgical and Materials Transacti ons, 1996, 27B:937～94110 石德珂1材料科学基础1北京:机械工业出版社, 2002111 Pires J C S, B raga A F B, Mei P R 1Pr ofile of I m purities in Polycrystal 2
line Silicon Samp les Purified in an Electr on Bea m Melting Furnace 1Solar Energy Materials &Solar Cells, 2003, 79:347～355
(编辑:张春明)
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凝固技 2006年第26卷第12期
多晶硅的真空感应熔炼及定向凝固研究
吴亚萍 张 剑 高学鹏 李廷举
(大连理工大学)
摘 要 以工业硅为原料进行了多晶硅的真空感应熔炼及定向凝固研究, 用自行设计的真空定向凝固设备制备了多晶硅铸锭。金相显微镜观察显示铸锭的显微组织为粗大的柱状晶, 经电感耦合等离子体发射光谱仪分析, 其纯度由99150%提高到99186%, 各种杂质含量都有所减少。
关键词 真空感应熔炼; 定向凝固; 多晶硅中图分类号 TF533. 2+1; TF748. 52 文献标志码 A 文章编号 1001-2249(2006) 12-0792-03
在能源和环保两大驱动力的作用下, 全球光伏产业
[1]
年平均增长超过30%。光伏产业用多晶硅锭是以高纯多晶硅为原料定向凝固铸成, 而高纯多晶硅的主要制备方法———西门子法———能耗大、污染重, 且此方法的关键技术一直由美、日、德三国垄断, 不向中国输出。我国的高纯多晶硅只能依赖大量进口, 但远不能满足市场需求, 导致光伏产业的发展受制于人, 因此发展具有自主知识产权的多晶硅生产新技术迫在眉睫。
多晶硅锭。, , []
; [3, 4]
的特点, 。本研究以低成本工业硅制得高纯多晶硅锭为目的, 自行研制了一台将真空感应熔炼技术与定向凝固技术相结合的试验装置, 并在此基础上进行了工业硅的真空感应熔炼及定向凝固试验, 利用金相显微镜和电感耦合等离子体发射光谱仪对样品进行了分析。
电磁感应熔化, 定向凝固采用水冷铜底座实现
。
1. 2. 3. 加料器 4. 保温炉 5. 真空系
试验所用的原料为2202工业硅, 试验中先开启机械泵, 抽真空至10Pa 后开扩散泵将真空炉抽至高真
空, 然后启动晶闸管中频电源, 按一定的升温曲线逐步升高感应器工作电压, 以避免因功率过大造成炉温突然急剧升高, 导致短期内炉内大量放气而使得真空度显著下降。待工业硅熔化后用双比色红外测温仪测温, 并在1773K 保温30m in, 用机械手将熔融硅浇注到定向凝
1 试验方法
电磁感应的热效应被广泛应用于导电材料的热处
[5]
理及感应熔炼中, 但是工业硅的室温电阻率为213×3
10Ω・m , 在室温下硅是无法与电磁场相互作用的。然而, 随着温度的升高, 硅的电阻率急剧下降, 在873K 左右时减小到5Ω・m , 此时Si 才达到了电磁悬浮熔炼
[6]-7
的基本要求, 硅在熔点时的电阻率为8×10Ω・m , 与金属相当。试验中使用石墨坩埚预热硅试样至873K 左右, 使工业硅的电磁感应熔炼成为可能。
本研究在自主设计的定向凝固设备中进行, 熔炼、浇注与定向凝固均在真空环境中进行, 试验装置示意见图1, 由真空系统、熔炼系统和定向凝固系统组成。真空系统由机械泵和扩散泵两级系统组成, 熔炼装置采用
固坩埚内, 利用保温炉抑制侧向散热, 通水强制冷却底模实现定向凝固。将硅锭沿纵截面切割, 样品经研磨抛光后, 用20%的Na OH 溶液腐蚀20m in, 采用MEF 23高温金相显微镜观察显微组织, 样品取样后使用Op ti m a 2000DV 电感耦合等离子发射光谱仪进行纯度分析。
2 试验结果及分析
211 金相显微组织
定向凝固样品的金相显微组织见图2。铸造多晶硅中存在大量的晶界, 洁净的晶界不是电活性的, 对少数载流子寿命并无影响或者只有微小的影响, 但是杂质易于在晶界处偏聚或沉淀, 此时晶界将具有电活性, 会显著降低少数载流子寿命, 晶界越多影响越大。但是有研究表明, 如果晶界垂直于器件的表面, 晶界对材料的
[7]
电学性能几乎没有影响。由图2可看出, 经过定向凝
收稿日期:2006-10-09
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50474055)
第一作者简介:吴亚萍, 女, 1982年出生, 硕士研究生, 大连理工大学材料科学与工程学院, E 2mail:wuyap ing315@1631com
通讯作者:李廷举, 男, 教授, 大连理工大学材料科学与工程学院, 大连(116023) , 电话:0411-84708940, E -mail:tjuli@dlut 1edu 1cn
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多晶硅的真空感应熔炼及定向凝固研究 吴亚萍等
固处理后, 长成了大晶粒柱状晶。大晶粒使得晶界减
少, 柱状晶有利于后续处理切片时使晶界垂直于硅片表面, 减少晶界对材料电学性能的影响
。
式(1) 、式(2) 也可以写成:
ρSi
ωP =κ(3) ・x 1
100ρSi 2
ωP 2=κ(4) ・x ) 2・100κ式中, x 为磷的质量分数; κ1、2为熔硅表面磷的蒸发速
率常数; ρ. 55×Si 为Si 的密度。1823K 时, κ1=410
-6
m /s, κ. 56×102=2
-3
m /s 。
[9]
图2 定向凝固样品的金相显微组织
212 电感耦合等离子发射光谱分析
将试样取样后进行电感耦合等离子发射光谱分析
成分, 各杂质含量见表1。
表1 不同试样的杂质含量
样品
P
Fe
A l
w B
若忽略硅的蒸发损失, 则
2
(κ=-1x +κ2x )
d t V
整理并积分得:
κ1
x t =
κκ) ・exp -κ2+(2+1t )
x 0
V
(5)
(6)
%
式中, A 、V 分别为熔硅的表面积和体积; x 0为工业硅中
的磷含量。
(61h 后, 磷CP 测得的磷含量为0
1。2定向凝固对去除金属杂质的影响
定向凝固之后工业硅中的金属杂质都有所减少, Fe 、A l 、Ca 、Ti 和Cu 的除杂效率分别为6619%、7913%、4216%、6812%和7316%。
Ca Ti Cu 01原始样[***********][**************]18
定向凝固试样[***********]0821001杂质去除率/%
6512
19
3
16
16
之后, 99150%提高到99186%。21211 真空熔炼对去除磷杂质的影响
多杂质的粗金属或多元素合金, 在温度升高后, 蒸气压大的元素先挥发, 留下蒸气压小的元素, 这就是真空提纯的依据。蒸气压(p ) 相差越大, 提纯的效果越好。在一定温度下, 磷和硅的蒸气压(p ) 相差很大(见表2) 。
表2 磷和硅的蒸气压比
温度/K
lg (p /p )
150010196
160010122
17009157
18008199
20008101
这些杂质元素能够被去除的原因可通过凝固的溶
质分配系数k (k =C B , s /CB, 1, C B, s 、C B, 1分别表示固液相的平衡浓度) 来说明(见图3) , 有两种情况。对硅与杂质元素组成的相图, 当k >1时, 先凝固的固相含有较多的杂质, 不利于杂质的去除。
由表2数据可知, 磷和硅的蒸气压相差很大, 在Si 没有熔化的阶段, 就开始有磷蒸发出来被真空装置带走, 在硅完全熔化保温期间, 两者依然相差很大, 所以可以在硅蒸发损失很小的条件下, 很好地去除其中的磷杂质。
[8]
在1823K 时, 磷以单原子和双原子形式蒸发, 其蒸发速率分别为:
ωP =4. 37×10-3・p P ・ωP 2=4. 37×10-3・p P 2・
T P T
(1) (2)
(a ) k 1
图3 杂质元素去除原理图
(C 0为原始杂质浓度, T 0为此浓度值时的液相线温度)
当k
状态, 然后进行定向凝固时, 最先凝固的固相杂质含量为C S , 比C 0减少, 若经多次定向凝固, 杂质含量将不断减少, 可以达到除杂的目的。工业硅中的大部分金
[11]
属杂质, 如Fe 、Ti 、Cu 的平衡分配系数很小, 分别为
-6-6-6
6140×10、2100×10、8100×10, 根据理论分析, 这些杂质可以通过多次定向凝固很好地去除。
[10]
式中, ω为蒸发速率; p 为蒸气压; M 为原子量; T 为蒸发
温度。
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轻有色合金 2006年第26卷第12期
大型铝铸件的铸造工艺
杨为勤 谢国峰(武昌造船厂)
摘 要 大型铝铸件, 按其形状可分为常见形状铸件和异常形状铸件, 前者与后者相比, 铸造工艺规律性较强。对大型常见形状铝铸件按套类、帽类、环类、板类、箱类进行分类, 根据多年的生产实践经验, 给出了较为成熟的铸造工艺设计方法, 并对大型常形铝铸件的尺寸保证、变形预防、充型方式、补缩效果及提高铸造工艺出品率等问题进行了探讨。关键词 铝合金; 大型常形铸件; 工艺设计模式中图分类号 TG14612+2 文献标志码 A 文章编号 1001-2249(2006) 12-0794-03
1 大型常见形状铝铸件铸造工艺的确定
大型铝铸件在凝固过程中, 由于泥芯的阻碍作用, 铸件外形与芯腔的收缩率不一致, 可在水玻璃砂芯或树脂砂芯内放置硬砂块, 水玻璃砂中应加锯末3%～5%(质量分数) 以提高其退让性。对于平面方向尺寸较大, 但高度方向较小的铝铸件, 其模型与铸件都很容易产生变形, 我们根据铸件的具体结构和形状加放防变形拉筋来加以处理。度较大。在设计浇注系统时[1～3]
满这些隔板铝铸件, , 套类、帽类、环类、板类、箱类等五类, 并对较为成熟的铸造工艺简介如下。
2 大型常见形状铝铸件分类及工艺简介
211 套类铸件
当套类铸件高度≤1m , 且高度/外径≤112时, 一
般采用立浇方式, , 在底部外, 。当m , /时, 一般采用卧浇(或椭圆) 冒口, 在水, 从补缩包上向铸件开设浇道浇入。对于壁厚相对较薄、补缩通道不够的套类铸件, 采用立浇方式时, 可在高度方向的中部分型, 设置补缩包, 以减短补缩距离; 采用卧浇方式时, 可在水平分型面上铸件两侧设置补缩包, 其内浇道在铸件上、下半型位置处向上及向下各开高些, 甚至可在铸件下半圆处进行局
收稿日期:2006-09-15
第一作者简介:杨为勤, 男, 1956年出生, 高级工程师, 武昌造船厂金属制造分厂, 武汉(430064) , 电话:027-88072306, E -mail:y [email protected]
3 苏彦庆, 郭景哲, 刘畅, 等1定向凝固技术与理论研究的进展1特种铸造及有色合金, 2006, 26(1) :25～304 周振平, 李荣德1定向凝固实验研究现状1特种铸造及有色合金,
2003(2) :35～375 郭景杰, 张铁军, 苏彦庆, 等1电磁技术在铸造中的研究与应用1特
3 结论
(1) 利用自主设计的真空定向凝固设备制得了多
晶硅锭, 其纯度达到99186%。
(2) 真空处理能很好地去除工业硅中的磷杂质。I CP 测得磷含量由0100259%降为0100090%, 与理论计算结果较为符合。
(3) 理论分析表明, 定向凝固可以去除工业硅中平衡分配系数小于1的杂质。工业硅中的金属杂质平衡分配系数都小于1, 试验结果表明定向凝固之后金属杂质都有不同程度的减少。
参 考 文 献
1 Adolf G, Christ opher H 1Phot ovoltaic Materials, Past, Present, Future 1
Solar Energy Materials &Solar Cells, 2000, 62:1～19
2 戴永年, 杨斌1有色金属材料的真空冶金1北京:冶金工业出版社,
20001
种铸造及有色合金, 2002(3) :37～39
6 温宏权, 毛协民, 张军, 等1太阳能级硅的电磁约束感应熔炼1太阳能学报, 1996, 7(4) :344～3477 席珍强, 杨德仁, 陈君1铸造多晶硅的研究进展1材料导报, 2001,
15(2) :67～69
8 Morita K, M iki T 1Ther modyna m ics of Solar 2grade 2silicon Refining 1I nter 2metallics, 2003(11) :1111～1117
9 M iki T, Morita K, Sano N 1Ther modyna m ics of Phos phorus in Molten Sili 2
con 1Metallurgical and Materials Transacti ons, 1996, 27B:937～94110 石德珂1材料科学基础1北京:机械工业出版社, 2002111 Pires J C S, B raga A F B, Mei P R 1Pr ofile of I m purities in Polycrystal 2
line Silicon Samp les Purified in an Electr on Bea m Melting Furnace 1Solar Energy Materials &Solar Cells, 2003, 79:347～355
(编辑:张春明)
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