国内已有的技术水平与世界先进水平的差距
当前我国LED产品与国际先进水平相比，差距主要反映在产品水平较低和研发能力不足上。从产品水平方面看，越到上游，差距越大。如LED屏幕技术，与国外先进水平差距不大，道路交通信号灯技术水平与国外先进水平相当，05与片状器件的封装水平与先进水平已无差距，在芯片制造方面与国外先进水平略有差距，差距最大的是外延方面，主要反映在光学性能上，还反映在均匀性和成品率上，如用InGaAIP外延片制成的芯片，国外最高已达200一300mcd/20mA，而国内仅100一200mcd/20mA CInGaN蓝光和绿光数据也相差近一倍。至于在新产品的研发能力上，差距显得更大些，目前我们外延产品的结构，还全是仿照他人的，应积极开展创新型研发工作.做出具有我国自主知识产权的东西来。在大功率LED芯片的研发上，发光效率也大致相当于先进水平的一半，如白光，日本日亚和美国Lumiled公司已有50 lm/W的产品。其次，在应用产品的开发上，如液晶背光源、汽车灯方面也与国外存在一定差距。经过努力，我们也有一些开发产品具备了国际上的先进水平，如硅衬底上外延InGaN，已取得6mWt2OmA的芯片成果。而在道路交通信号灯和航标灯方面也达到了与闰际先进产品相当的水平，并取得了较好的市场业绩。
值得高兴的是，近两年，特别是国家半导体照明工程启动以来，产品水平和开发水平提高的速度明显加快，出现上、中、下游全面启动的好现象，按这样的发展趋势，逐步赶上国际先进水平是指日可待的。
有关国家技术输出、转让的管制和相互竞争的状况
有关技术项目产品的市场供求、价格的现状及前景
市场供求
未来几年，LED产业被公认为是业界最具增长潜力的产业，目前许多厂商计划加入到该产业。此外，许多厂商正在寻找其它项目。
许多制造商都迫切地需要信息，基于相关的技术分析、市场分类和目标市场选择，该信息也是制定战略所必需的。
实际上，LED光源不仅适用于照明，这些是我们日常生活中所常见的。LED光源还适用于其它需要光源的领域，如移动设备、汽车、大尺寸背光和标识牌。LED光源具有无限的市场潜力，并可继续扩大其应用领域。
LED市场的复合年均增长率将有望出现26%的增长，从2008年的51亿美元增至2013年的165亿美元。其中，预计液晶背光模组和照明市场将会呈现快速增长态势，其复合年均增长率将会分别增长121%和52%。
特别是，像三星和LG一样的大公司都开始在产业前端和后端进行巨大的投资竞争，包括LED芯片、封装设备和LED应用设备，通过LED产业的垂直整合来实现。相关设备与半导体制造商也在加快生产设备和半导体设备的开发，除了产量增加外，厂商们预计，该市场还将会出现增长态势。
价格的现状
国内整个LED上游产业发展速度其实不慢，上游芯片厂家数量剧增，只是行业市场预期过高，导致市场竞争异常激烈，LED芯片价格持续下降，全年平均降幅接近40%。芯片产值60亿元. 自2010年以来的MOCVD大批引入，产能的快速扩充使得国内LED外延芯片行业供过于求，国内LED芯片竞争趋于白热化，LED芯片价格大幅下降。根据GS Cresearch统计，2012年国内市场上各类LED芯片价格整体下降了30%。进入到2013年，小功率和大功率LED芯片跌幅将收窄，中功率LED芯片价格依然将有较大幅度下跌。随着LED行业进入背光旺季，同时随着国外市场需求升温及国内公共照明工程的逐步落实带动LED照明需求快速增加，LED上游外延芯片厂商供求关系得到一定程度的舒缓，产能利用率提升，价格跌幅逐步缩小。2013年一季度LED照明芯片价格降幅在9%-12%，而随着第二季度需求快速转旺，加上PSS蓝宝石衬底价格的上浮，预计第二季度国内LED芯片价格降幅进一步收窄，LED芯片企业盈利能力逐步回升。但在预期LED产值不断扩张的同时，市场对于LED芯片产能的快速提高可能带来的过剩也存在担心。专家指出，2013年三季度LED芯片价格已经开始出现较大跌幅。
台湾地区作为全球LED芯片的主要生产基地之一，其11月份整体上游芯片厂营收较10月份下滑了2.8%。
另外，技术进步也是促使LED芯片价格走低原因之一。据介绍，以美国能源部所订LED来看，到了2020年LED的发光效率将达到243lm/W。
前景
但是对于LED技术快速发展的今天，LED通往通用照明这个终极市场的步伐日益加速。尽管通用照明市场虽然还是有政府在推，但是真正的市场开始启动。随着发光光效的提升和照明对于器件可靠性要求的提高，大功率芯片将是市场主流，以致于COB光源成为LED照明灯具厂家的热门选择。如果未来中国一直缺失高品质的大功率LED芯片，即便政府在示范工程上投入十倍百倍的资金，那也只是为外国芯片厂商在中国赚取更丰厚的利润，中国本土的封装及应用企业永远只能获得微薄的“辛苦费”，中国的LED产业必将步入悲哀的DVD产业的后尘。 在器件发光效率达到理论极限之前，LED行业将是一个以技术创新为导向的领域，差异化、专业化决定了企业的发展和未来。但“就技术层面看，目前国内芯片行业确实已经赶上国外的研发水平，但能够大批量生产的企业却属少数，技术不是决定企业成败的唯一关键，企业要在激烈的竞争中胜出，最重要的要看其在量产良率、品质和成本控制方面的竞争力。中国LED芯片企业目前发展面临的问题是如何产业化、规模化、效益最大化。
技术的环境条件
芯片制造用于根据LED的性能需求进行器件结构和工艺设计。主要设备主要包括刻蚀机、光刻机、蒸发台、溅射台、激光划片机等.
。
LED芯片的制造工艺流程
外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，如图所示：
1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。
2、晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。
3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。
4、最后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片（目前市场上统称方片）。
国内已有的技术水平与世界先进水平的差距
当前我国LED产品与国际先进水平相比，差距主要反映在产品水平较低和研发能力不足上。从产品水平方面看，越到上游，差距越大。如LED屏幕技术，与国外先进水平差距不大，道路交通信号灯技术水平与国外先进水平相当，05与片状器件的封装水平与先进水平已无差距，在芯片制造方面与国外先进水平略有差距，差距最大的是外延方面，主要反映在光学性能上，还反映在均匀性和成品率上，如用InGaAIP外延片制成的芯片，国外最高已达200一300mcd/20mA，而国内仅100一200mcd/20mA CInGaN蓝光和绿光数据也相差近一倍。至于在新产品的研发能力上，差距显得更大些，目前我们外延产品的结构，还全是仿照他人的，应积极开展创新型研发工作.做出具有我国自主知识产权的东西来。在大功率LED芯片的研发上，发光效率也大致相当于先进水平的一半，如白光，日本日亚和美国Lumiled公司已有50 lm/W的产品。其次，在应用产品的开发上，如液晶背光源、汽车灯方面也与国外存在一定差距。经过努力，我们也有一些开发产品具备了国际上的先进水平，如硅衬底上外延InGaN，已取得6mWt2OmA的芯片成果。而在道路交通信号灯和航标灯方面也达到了与闰际先进产品相当的水平，并取得了较好的市场业绩。
值得高兴的是，近两年，特别是国家半导体照明工程启动以来，产品水平和开发水平提高的速度明显加快，出现上、中、下游全面启动的好现象，按这样的发展趋势，逐步赶上国际先进水平是指日可待的。
有关国家技术输出、转让的管制和相互竞争的状况
有关技术项目产品的市场供求、价格的现状及前景
市场供求
未来几年，LED产业被公认为是业界最具增长潜力的产业，目前许多厂商计划加入到该产业。此外，许多厂商正在寻找其它项目。
许多制造商都迫切地需要信息，基于相关的技术分析、市场分类和目标市场选择，该信息也是制定战略所必需的。
实际上，LED光源不仅适用于照明，这些是我们日常生活中所常见的。LED光源还适用于其它需要光源的领域，如移动设备、汽车、大尺寸背光和标识牌。LED光源具有无限的市场潜力，并可继续扩大其应用领域。
LED市场的复合年均增长率将有望出现26%的增长，从2008年的51亿美元增至2013年的165亿美元。其中，预计液晶背光模组和照明市场将会呈现快速增长态势，其复合年均增长率将会分别增长121%和52%。
特别是，像三星和LG一样的大公司都开始在产业前端和后端进行巨大的投资竞争，包括LED芯片、封装设备和LED应用设备，通过LED产业的垂直整合来实现。相关设备与半导体制造商也在加快生产设备和半导体设备的开发，除了产量增加外，厂商们预计，该市场还将会出现增长态势。
价格的现状
国内整个LED上游产业发展速度其实不慢，上游芯片厂家数量剧增，只是行业市场预期过高，导致市场竞争异常激烈，LED芯片价格持续下降，全年平均降幅接近40%。芯片产值60亿元. 自2010年以来的MOCVD大批引入，产能的快速扩充使得国内LED外延芯片行业供过于求，国内LED芯片竞争趋于白热化，LED芯片价格大幅下降。根据GS Cresearch统计，2012年国内市场上各类LED芯片价格整体下降了30%。进入到2013年，小功率和大功率LED芯片跌幅将收窄，中功率LED芯片价格依然将有较大幅度下跌。随着LED行业进入背光旺季，同时随着国外市场需求升温及国内公共照明工程的逐步落实带动LED照明需求快速增加，LED上游外延芯片厂商供求关系得到一定程度的舒缓，产能利用率提升，价格跌幅逐步缩小。2013年一季度LED照明芯片价格降幅在9%-12%，而随着第二季度需求快速转旺，加上PSS蓝宝石衬底价格的上浮，预计第二季度国内LED芯片价格降幅进一步收窄，LED芯片企业盈利能力逐步回升。但在预期LED产值不断扩张的同时，市场对于LED芯片产能的快速提高可能带来的过剩也存在担心。专家指出，2013年三季度LED芯片价格已经开始出现较大跌幅。
台湾地区作为全球LED芯片的主要生产基地之一，其11月份整体上游芯片厂营收较10月份下滑了2.8%。
另外，技术进步也是促使LED芯片价格走低原因之一。据介绍，以美国能源部所订LED来看，到了2020年LED的发光效率将达到243lm/W。
前景
但是对于LED技术快速发展的今天，LED通往通用照明这个终极市场的步伐日益加速。尽管通用照明市场虽然还是有政府在推，但是真正的市场开始启动。随着发光光效的提升和照明对于器件可靠性要求的提高，大功率芯片将是市场主流，以致于COB光源成为LED照明灯具厂家的热门选择。如果未来中国一直缺失高品质的大功率LED芯片，即便政府在示范工程上投入十倍百倍的资金，那也只是为外国芯片厂商在中国赚取更丰厚的利润，中国本土的封装及应用企业永远只能获得微薄的“辛苦费”，中国的LED产业必将步入悲哀的DVD产业的后尘。 在器件发光效率达到理论极限之前，LED行业将是一个以技术创新为导向的领域，差异化、专业化决定了企业的发展和未来。但“就技术层面看，目前国内芯片行业确实已经赶上国外的研发水平，但能够大批量生产的企业却属少数，技术不是决定企业成败的唯一关键，企业要在激烈的竞争中胜出，最重要的要看其在量产良率、品质和成本控制方面的竞争力。中国LED芯片企业目前发展面临的问题是如何产业化、规模化、效益最大化。
技术的环境条件
芯片制造用于根据LED的性能需求进行器件结构和工艺设计。主要设备主要包括刻蚀机、光刻机、蒸发台、溅射台、激光划片机等.
。
LED芯片的制造工艺流程
外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，如图所示：
1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。
2、晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。
3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。
4、最后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片（目前市场上统称方片）。