电子技术基础(数字部分)第五版答案康华光

第一章 数字 逻辑 习题

1.1数字电路与数字 信号

1.1.2 图形代表的二进制数

010110100

1.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例

MSBLSB

0 1 2 11 12 (ms)

解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms

频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ

占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%

1.2数制

1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于 42.

(2)127 (4)2.718

解:(2)(127)D=-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H 72

(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H

1.4二进制代码

1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:

(1)43 (3)254.25

解:(43)D=(01000011)BCD

1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28

(1)+ (2)@ (3)you (4)43

解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制 数表示。

(1)“+”的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H

(2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H

(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75

(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,33

1.6逻辑函数及其表示方法

1.6.1 在图题 1. 6.1中,已知输入 信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形。

解: (a)为与非, (b)为 同或非 ,即异或

第二章 逻辑 代数 习题解答

2.1.1 用真值表证明下列恒等式

(3)ABABAB⊕=+(A⊕B)=AB+AB

解:真值表 如下

A

B

AB⊕

AB

AB

AB⊕

AB+AB

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

由最右边2栏可知,与AB+AB的真值表完全相同。

2.1.3 用逻辑代数定律证明下列等式

(3)()AABCACDCDEACDE++++=++

解:()AABCACDCDE++++

(1)ABCACDCDE=+++

AACDCDE=++

ACDCDE=++

ACDE=++

2.1.4 用代数法化简下列各式

(3)()ABCBC+

解:()ABCBC+

()(ABCBC=+++

ABACBBBCCBC=+++++

(1ABCABB=++++

ABC=+

(6)()()()(ABABABAB++++

解:()()()(ABABABAB++++

()()ABABABAB=.+.+++

BABAB=++

ABB=+

AB=+

AB=

(9)ABCDABDBCDABCBDBC++++

解:ABCDABDBCDABCBDBC++++

()(

()

()

()

ABCDDABDBCDCBACADCDBACADBACDABBCBD=++++

=+++

=+++

=++

=++

2.1.7 画出实现下列逻辑表达式的 逻辑电路图,限使用非门和二输入与非门

(1) LABAC=+

(2)()LDAC=+

(3)()(LABCD=++

2.2.2 已知函数L(A,B,C,D)的卡诺图如图所示,试写 出函数L的最简与或表达式

解:(,,,)LABCDBCDBCDBCDABD=+++

2.2.3 用卡诺图化简下列个式

(1)ABCDABCDABADABC++++

解:ABCDABCDABADABC++++

()()()()()ABCDABCDABCCDDADBBCCABCDD=+++++++++

ABCDABCDABCDABCDABCDABCDABCD=++++++

(6) (,,,)(0,2,4,6,9,13)(1,3,5,7,11,15)LABCDmd=+ΣΣ

解:

LAD=+

(7) (,,,)(0,13,14,15)(1,2,3,9,10,11)LABCDmd=+ΣΣ

解:

LADACAB=++

2.2.4 已知逻辑函数LABBCCA=++,试用真值表,卡诺图和逻辑图(限用非门和与非

门)表示

解:1>由逻辑函数写出真值表

A

B

C

L

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

2>由真值表画出卡诺图

3>由卡诺图,得逻辑表达式LABBCAC=++

用摩根定理将与或化为与非表达式

LABBCACABBCAC=++=..

4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图

第三章习题

3.1 MOS逻辑门电路

3.1.1根据表题3.1.1所列的三种逻辑门电路的技术参数,试选择一 种最合适工作在高噪声 环境下的门电路。

表题3.1.1 逻辑门电路的技术参数表

(min)/OHVV

VOL(max)/V

(min)/IHVV

(max)/ILVV

逻辑门A

2.4

0.4

2

0.8

逻辑门B

3.5

0.2

2.5

0.6

逻辑门C

4.2

0.2

3.2

0.8

解:根据表题3.1.1所示逻辑门的参数,以及式(3.1.1)和式(3.1.2),计算出逻辑门A的

高电平和低电平噪声容限分别为:

NHAV=—=2.4V—2V=0.4V (min)OHV(min)IHV

(max)NLAV=—=0.8V—0.4V=0.4V (max)ILV(max)OLV

同理分别求出逻辑门B和C的噪声容限分别为:

NHBV=1V

NLBV=0.4V

NHCV=1V

NLCV=0.6V

电路的噪声容限愈大,其抗干扰能力愈强,综合考虑选择逻辑门C

3.1.3根据表题3.1.3所列的三种门电路的技术参数,计算出它们的延时-功耗积,并确定哪一种

逻辑门性能最好

表题3.1.3 逻辑门电路的技术参数表

/pLHtn

/pHLtn

/DPmW

逻辑门A

1

1.2

16

逻辑门B

5

6

8

逻辑门C

10

10

1

解:延时-功耗积为传输延长时间与功耗的乘积,即

DP= tpdPD

根据上式可以计算出各逻辑门的延时-功耗分别为

ADP =

2PLHPHLtt+

DP=

(11.2)

2ns+

*16mw=17.6* 1210.J=17.6PJ

同理得出: BDP=44PJ CDP=10PJ,逻辑门的DP值愈小,表明它的特性愈好,所以逻辑门C的 性能最好.

3.1.5 为什么说74HC系列CMOS与非门在+5V电源工作时,输入端在以下四种接法下都属 于逻辑0: (1)输入端接地; (2)输入端接低于1.5V的电源; (3)输入端接同类与非门的输 出低电压0.1V; (4)输入端接10kΩ的电阻到地.

解:对于74HC系列CMOS门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:

OLV=0.1V, ILV=1.5V,因此有:

(1) =0

(2)

(3)

(4)由于CMOS管的栅极电流非常小,通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即

Vi

3.1.7求图题3.1.7所示电路的输出逻辑表达式.

解:图解3.1.7所示电路中L1=AB,L2=BC,L3=D,L4实现与功能,即L4=L1L2L3,而

L=

..

4LE..,所以输出逻辑表达式为L=ABBCDE......

3.1.9 图题3.1.9表示三态门作总线传输的示意图,图中n个三态门的输出接到数据传输总 线,D1,D2,„„Dn为数据输入端,CS1,CS2„„CSn为片选信号输入端.试问:

(1) CS信号如何进行控制,以便数据D1,D2, „„Dn通过该总线进行正常传输; (2)CS信号能 否有两个或两个以上同时有效?如果出现两个或两个以上有效,可能发生什么情况? (3)如果 所有CS信号均无效,总线处在什么状态?

解: (1)根据图解3.1.9可知,片选信号CS1,CS2„„CSn为高电平有效,当CSi=1时第i个三 态门被选中,其输入数据被送到数据传输总线上,根据数据传输的速度,分时地给CS1, CS2„„CSn端以正脉冲信号,使其相应的三态门的输出数据能分时地到达总线上.

(2)CS信号不能有两个或两个以上同时有效,否则两个不同的信号将在总线上发生冲突,即总 线不能同时既为0又为1.

(3)如果所有CS信号均无效,总线处于高阻状态.

3.1.12 试分析3.1.12所示的CMOS电路,说明它们的逻辑功能

(A) (B)

(C) (D)

解:对于图题3.1.12(a)所示的CMOS电路,当EN=0时, 和均导通,和

构成的反相器正常工作,L=

2PT2NT1PT1NTA,当EN=1时,和均截止,无论A为高电平还是

低电平,输出端均为高阻状态,其真值表如表题解3.1.12所示,该电路是低电平使能三态 非门,其表示符号如图题解3.1.12(a)所示。

2PT2NT

图题3.1.12(b)所示CMOS电路,EN=0时,导通,或非门打开,和构成反

相器正常工作,L=A;当

2PT1PT1NTEN=1时,截止,或非门输出低电平,使截止,输出端

处于高阻状态,该电路是低电平使能三态缓冲器,其表示符号如图题解3.1.12(b)所示。 2PT1NT

同理可以分析图题3.1.12(c)和图题3.1.12(d)所示的CMOS电路,它们分别为高 电平使能三态缓冲器和低电平使能三态非门 ,其表示符号分别如图题3.1.12(c)和图题

3.1.12(d)所示。

A

L

1

1

1

高阻

1

1

3.1.12(a)

A

L

1

1

1

高阻

1

1

高阻

3.1.12(b)

EN

A

L

高阻

1

高阻

1

1

1

1

3.1.12(c

A

L

1

1

1

高阻

1

1

高阻

3.1.12(d)

3.2.2 为什么说TTL与非门的输入端在以下四种接法下,都属于逻辑1:(1)输入端悬空;

(2)输入端接高于2V的电源;(3)输入端接同类与非门的输出高电压3.6V;(4)输入端 接10kΩ的电阻到地。

解:(1)参见教材图3.2.4电路,当输入端悬空时,T1管的集电结处于正偏,Vcc作用于T1 的集电结和T2,T3管的发射结,使T2,T3饱和,使T2管的集电极电位

Vc2=VcEs2+VBE3=0.2+0.7=0.9V,而T4管若要导通VB2=Vc2≥VBE4+VD=0.7+0.7=1.4V,故T4

截止。又因T3饱和导通,故与非门输出为低电平,由上分析,与非门输入悬空时相当于输 入逻辑1。

(2)当与非门输入端接高于2V的电源时,若T1管的发射结导通,则VBE1≥0.5V,T1管的 基极电位VB≥2+ C1=2.5V。而VB1≥2.1V时,将会使T1的集电结处于正偏,T2,T3处于饱 和状态,使T4截止,与非门输出为低电平。故与非门输出端接高于2V的电源时,相当于 输入逻辑1。

(3)与非门的输入端接同类与非门的输出高电平3.6V输出时,若T1管导通,则

VB1=3.6+0.5=4.1。而若VB1>2.1V时,将使T1的集电结正偏,T2,T3处于饱和状态,这时 VB1被钳位在2.4V,即T1的发射结不可能处于导通状态,而是处于反偏截止。由(1)(2), 当VB1≥2.1V,与非门输出为低电平。

(4)与非门输入端接10kΩ的电阻到地时,教材图3.2.8的与非门输入端相当于解3.2.2图 所示。这时输入电压为VI=(Vcc-VBE)=10(5-0.7)(10+4)=3.07V。若T1导通,

则VBI=3.07+ VBE=3.07+0.5=3.57 V。但VBI是个不可能大于2.1V的。当VBI=2.1V时,将使

T1管的集电结正偏,T2,T3处于饱和,使VBI被钳位在2.1V,因此,当RI=10kΩ时,T1 将处于截止状态,由(1)这时相当于输入端输入高电平。

3.2.3 设有一个74LS04反相器驱动两个74ALS04反相器和四个74LS04反相器。(1)问 驱动门是否超载?(2)若超载,试提出一改进方案;若未超载,问还可增加几个74LS04 门?

解:(1)根据题意,74LS04为驱动门,同时它有时负载门,负载门中还有74LS04。

从主教材附录A查出74LS04和74ALS04的参数如下(不考虑符号)

74LS04:=8mA,=0.4mA;=0.02mA. (max)OLI(max)OHI(max)IHI

4个74LS04的输入电流为:4=4(max)ILI×0.4mA=1.6mA,

4=4(max)IHI×0.02mA=0.08mA

2个74ALS04的输入电流为:2=2(max)ILI×0.1mA=0.2mA,

2=2(max)IHI×0.02mA=0.04mA。

① 拉电流负载情况下如图题解3.2.3(a)所示,74LS04总的拉电流为两部分,即4个 74ALS04的高电平输入电流的最大值4=0.08mA电流之和为

0.08mA+0.04mA=0.12mA.而74LS04能提供0.4mA的拉电流,并不超载。

(max)IHI

② 灌电流负载情况如图题解3.2.3(b)所示,驱动门的总灌电流为1.6mA+0.2mA=1.8mA.

而74LS04能提供8mA的灌电流,也未超载。

(2)从上面分析计算可知,74LS04所驱动的两类负载无论书灌电流还是拉电流均未超

3.2.4 图题3.2.4所示为集电极门74LS03驱动5个CMOS逻辑门,已知OC门输管 截止时的漏电流=0.2mA;负载门的参数为:=4V,=1V,==1A试计算上拉电阻的值。

从主教材附录A查得74LS03的参数为:=2.7V,=0.5V,=8mA.根据

式(3.1.6)形式(3.1.7)可以计算出上拉电阻的值。灌电流情况如图题解3.2.4(a)所示, 74LS03输出为低电平,=5(min)OHV(max)OLV(max)OLI(ILtotalIILI=5×0.001mA=0.005mA,有 =(min)pR(max)

(max)()

DDOLOLILtotalVVII.

.

=

(54)

(80.005)

VmA.

.

≈0.56KΩ

拉电流情况如图题解3.2.4(b)所示,74LS03输出为高电平,

(IHtotalI=5IHI=50.001mA=0.005mA ×

由于

(max)PR=(min)

()()

DDHOLtotalIHtotalVVoII.

+

=

(54)

(0.20.005)

VmA.

.

=4.9KΩ

综上所述,PR的取值范围为0.56Ω~4.9Ω

3.6.7 设计一发光二极管(LED)驱动电路,设LED的参数为FV=2.5V, DI=4.5Ma;若=5V,当 LED发亮时,电路的输出为低电平,选出集成门电路的型号,并画出电路图.

CCV

解:设驱动电路如图题解3.6.7所示,选用74LSO4作为驱动器件,它的 输出低电平电流 =8mA, =0.5V,电路中的限流电阻 (max)OLI(max)OLV

R=(max)CCFOLDVVVI..=

(52.50.5)

4.5vmA..

≈444Ω

第四章 组合逻辑 习题解答

4.1.2 组合逻辑电路及输入波形(A.B)如图题4.1.2所示,试写出 输出端的逻辑表达式 并画出输出波形。

412.bmp

4121.bmp

解:由逻辑 电路写出逻辑表达式

LABABAB=+=..

首先将输入波形分段,然后逐段画出输出波形。

当A.B信号相同时,输出为1,不同时,输出为0,得到输出波形。

如图所示4122.bmp

4.2.1 试用2输入与非门设计一个3输入的组合逻辑电路。当输入的二进制码小于3时, 输出为0;输入大于等于3时,输出为1。

解: 根据组合逻辑的设计过程,首先要确定输入输出变量,列出真值表。由卡诺图化简 得到最简与或式,然后根据要求对表达式进行变换,画出逻辑图

1) 设入变量为A.B.C输出变量为L,根据题意列真值表

A B C L

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

2) 由卡诺图化简,经过变换得到逻辑表达式

4211.bmp

*LABCABC=+=

3) 用2输入与非门实现上述逻辑表达式 4212.bmp

4.2.7 某足球评委会由一位教练和三位球迷组成,对裁判员的判罚进行表决。当满足以 下条件时表示同意;有三人或三人以上同意,或者有两人同意,但其中一人是叫教练。试用 2输入与非门设计该表决电路。

解: 1)设一位教练和三位球迷分别用A和B.C.D表示,并且这些输入变量为1时表示同 意,为0时表示不同意,输出L表示表决结果。L为1时表示同意判罚,为0时表示不同意。 由此列出真值表

输入 输出

A B C D L

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

2)由真值表画卡诺图

427.bmp

由卡诺图化简得L=AB+AC+AD+BCD

由于规定只能用2输入与非门,将上式变换为两变量的与非——与非运算式

*******LABACADBCDABACADBCD==

3)根据L的逻辑表达式画出由2输入与非门组成的逻辑电路

4273.bmp

4.3.3 判断图所示电路在什么条件下产生竞争冒险,怎样修改电路能消除竞争冒险?

433.bmp

解: 根据电路图写出逻辑表达式并化简得*LABBC=+

当A=0,C=1时,LBB=+ 有可能产生竞争冒险,为消除可能产生的竞争冒险,

增加乘积项使AC ,使 *LABBCAC=++ ,修改后的电路如图

4332.bmp

4.4.4 试用74HC147设计键盘编码电路,十个按键分别对应十进制数0~9,编码器的输出 为8421BCD码。要求按键9的优先级别最高,并且有工作状态标志,以说明没有按键按下和 按键0按下两种情况。

解:真值表

电路图

4.4.6 用译码器74HC138和适当的逻辑门实现函数F=.

解:将函数式变换为最小项之和的形式

F==

将输入变量A、B、C分别接入、、端,并将使能端接有效电平。由于74HC138

是低电平有效输出,所以将最小项变换为反函数的形式

L =

在译码器的输出端加一个与非门,实现给定的组合函数。

4.4.14 七段显示译码电路如图题4.4.14(a)所示,对应图题4.4,14(b)所示输人波 形,试确定显示器显示的字符序列

解:当LE=0时,图题4,4。14(a)所示译码器能正常工作。所显示的字符即为A2A2A1A 所表示的十进制数,显示的字符序列为0、1、6 、9、4。当LE由0跳变1时,数字4被锁 存,所以持续显示4。

4.4.19试用4选1数据选择器74HC153产生逻辑函数. (,,)(1,2,6,7)LABCm=Σ

解:74HC153的功能表如教材中表解4.4.19所示。根据表达式列出真值表如下。 将变量A、B分别接入地址选择输入端、,变量C接入输入端。从表中可以

看出输出L与变量C之间的关系,当AB=00时,L=C,因此数据端

1S0S0I接C;当AB=01

时,L=,

__

C1I接;当AB为10和11时,L分别为0和1,数据输入端

__

C2I和3I分

别接0和1。由此可得逻辑函数产生器,如图解4.4.19所示。

输入

输出

A

B

C

L

L=C

1

1

1

1

__

LC=

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

4.4.21 应用74HC151实现如下逻辑函数。

解:1.154mmmCBACBACBAF++=++=

D1=D4=D5=1,其他=0

2.

4,4.26 试用数值比较器74HC85设计一个8421BCD码有效性测试电路,当输人 为8421BCD码时,输出为1,否则为0。

解:测试电路如图题解4.4.26所示,当输人的08421BCD码小于1010时,FA<B输出为1,否则 0为0。 1

4.4.31 由4位数加法器74HC283构成的逻辑电路如图题4。4.31所示,M和

N为控制端,试分析该电路的功能。

解:分析图题4.4,31所示电路,根据MN的不同取值,确定加法器74HC283

的输入端B3B2B1B0的值。当MN=00时,加法器74HC283的输人端B3B2B1B0=

0000,则加法器的输出为S=I。当MN=01时,输入端B3B2B1B0=0010,加法器 的输出S=I+2。同理,可分析其他情况,如表题解4.4.31所示。

该电路为可控制的加法电路。

第六章 习题答案

6.1.6已知某时序电路的状态表如表题6.1,6所示,输人为A,试画出它的状态图。如果 电路的初始状态在b,输人信号A依次是0、1、0、1、1、1、1,试求其相应的输出。

解:根据表题6。1.6所示的状态表,可直接画出与其对应的状态图,如图题解6.1。6(a)

所示。当从初态b开始,依次输人0、1、0、1、1、1、1信号时,该时序电路将按图题解6,

1.6(b)所示的顺序改变状态,因而其相应的输出为1、0、1、0、1、0、1。

6.2.1试分析图题6。2.1(a)所示时序电路,画出其状态表和状态图。设电路的初始状态 为0,试画出在图题6.2.1(b)所示波形作用下,Q和z的波形图。

解:状态方程和输出方程:

6.2.4 分析图题6.2。4所示电路,写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程,画出状 态表和状态图。

解:激励方程

状态方程

输出方程

Z=AQ1Q0

根据状态方程组和输出方程可列出状态表,如表题解6.2.4所示,状态图如图题解6。2.4 所示。

6.2.5 分析图题6.2.5所示同步时序电路,写出各触发器的激励方程、电路的状态方程组 和输出方程,画出状态表和状态图。

解:激励方程

状态方程

输出方程

根据状态方程组和输出方程列出该电路的状态表,如表题解6,2,5所示,状态图如图题解 6。2.5所示。

6.3.1 用JK触发器设计一个同步时序电路,状态表如下

解:所要设计的电路有4个状态,需要用两个JK触发器实现。

(1)列状态转换真值表和激励表

由表题6。3.1所示的状态表和JK触发器的激励表,可列出状态转换真值表和对各触发器 的激励信号,如表题解6.3。1所示。

(2)求激励方程组和输出方程

由表题解6.3.1画出各触发器J、K端和电路输出端y的卡诺图,如图题解6.3.1(a) 所示。从而,得到化简的激励方程组

输出方程

Y=Q1Q0

Q1Q0A

由输出方程和激励方程话电路

6.3.4 试用下降沿出发的D触发器设计一同步时序电路,状态图如6.3.4(a), S0S1S2的编 码如6.3.4(a)

解:图题6.3。4(b)以卡诺图方式表达出所要求的状态编码方案,即S0=00,Si=01, S2=10,S3为无效状态。电路需要两个下降沿触发的D触发器实现,设两个触发器的输出 为Q1、Q0,输人信号为A,输出信号为Y

(1)由状态图可直接列出状态转换真值表,如表题解6。3.4所示。无效状态的次态可用 无关项×表示。

(2)画出激励信号和输出信号的卡诺图。根据D触发器的特性方程,可由状态转换真值表 直接画出2个卡诺图,如图题解6.3。4(a)所示。 |

(3)由卡诺图得激励方程

输出方程

Y=AQ1

(4)根据激励方程组和输出方程画出逻辑电路图,如图题解6.3.4(b)所示。

(5)检查电路是否能自启动。由D触发器的特性方程Q^←l=D,可得图题解6.3,4(b) 所示电路的状态方程组为

代入无效状态11,可得次态为00,输出Y=1。如图(c)

6.5.1 试画出图题⒍⒌1所示电路的输出(Q3—Q0)波形,分析电路的逻辑功能。

解:74HC194功能由S1S0控制

00 保持, 01右移 10 左移 11 并行输入

当启动信号端输人一低电平时,使S1=1,这时有S。=Sl=1,移位寄存器74HC194执行并 行输人功能,Q3Q2Q1Q0=D3D2D1D0=1110。启动信号撤消后,由于Q。=0,经两级与

非门后,使S1=0,这时有S1S0=01,寄存器开始执行右移操作。在移位过程中,因为Q3Q2、 Q1、Q0中总有一个为0,因而能够维持S1S0=01状态,使右移操作持续进行下去。其移位 情况如图题解6,5,1所示。

由图题解6.5。1可知,该电路能按固定的时序输出低电平脉冲,是一个四相时序脉冲产生 电路。

6.5.6 试用上升沿触发的D触发器及门电路组成3位同步二进制加1计数器;画出逻辑图

解:3位二进制计数器需要用3个触发器。因是同步计数器,故各触发器的CP端接同一时 钟脉冲源。

(1)列出该计数器的状态表和激励表,如表题解6.5.6所示‘

(2) 用卡诺图化简,得激励方程

(3)画出电路

6.5.10 用JK触发器设计一个同步六进制加1计数器

解:需要3个触发器

(1)状态表,激励表

(2)用卡诺图化简得激励方程

(3)画出电路图

(4)检查自启动能力。

当计数器进入无效状态110时,在CP脉冲作用下,电路的状态将按

110→111-→000 变化,计数器能够自启动。

6.5.15 试用74HCT161设计一个计数器,其计数状态为自然二进制数1001~1111。

解:由设计要求可知,74HCT161在计数过程中要跳过0000~1000九个状态而保留1001~ 1111七个状态。因此,可用“反馈量数法”实现:令74HCT161的数据输人端D3D2D1D0=1001,并将进位信号TC经反相器反相后加至并行置数使能端上。所设计的电路如图题解 6。5.15所示。161为异步清零,同步置数。

6.5.18 试分析电路,说明电路是几进制计数器

解:两片74HCT161级联后,最多可能有162=256个不同的状态。而用“反馈置数法”构 成的图题6.5。18所示电路中,数据输人端所加的数据01010010,它所对应的十进制数是 82,说明该电路在置数以后从01010010态开始计数,跳过了82个状态。因此,该计数器的 模M=255-82=174,即一百七十四进制计数器。

6.5.19 试用74HCT161构成同步二十四一制计数器,要求采用两种不同得方法。

解:因为M=24,有16<M<256,所以要用两片74HCT161。将两芯片的CP端直接与计数 脉冲相连,构成同步电路,并将低位芯片的进位信号连到高位芯片的计数使能端。用“反馈 清零法”或“反馈置数法”跳过256-24=232个多余状态。

反馈清零法:利用74HCT161的“异步清零”功能,在第24个计数脉冲作用后,电路的输 出状态为00011000时,将低位芯片的Q3及高位芯片的Q0信号经与非门产生清零信号,输 出到两芯片的异步清零端,使计数器从00000000状态开始重新计数。其电路如图题解6.5.19(a)所示。

反馈置数法:利用74HCT161的“同步预置”功能,在两片74HCT161的数据输入端上从高 位到低位分别加上11101000(对应的十进制数是232),并将高位芯片的进位信号经反相器 接至并行置数使能端。这样,在第23个计数脉冲作用后,电路输出状态为11111111,使进 位信号TC=1,将并行置数使能端置零。在第24个计数脉冲作用后,将11101000状态置人 计数器,并从此状态开始重新计数。其电路如图题解6。5.19(b)所示。

第七章 习题答案

7.1.1 指出下列存储系统各具有多少个存储单元,至少需要几根地址线和数据线。

(1)64K×1 (2)256K×4 (3)lM×1 (4)128K×8

解:求解本题时,只要弄清以下几个关系就能很容易得到结果:

存储单元数=字数×位数

地址线根数(地址码的位数)n与字数N的关系为:N=2n

数据线根数=位数

(1)存储单元〓64K×1〓64K(注:lK=1024);因为,64K〓2’。,即亢〓16,所以地址 线为16根;数据线根数等于位数,此处为1根。

同理得:

(2)1M个存储单元,18根地址线,4根数据线。

(3)1M个存储单元,18根地址线,1根数据线。 ! _

(4)lM个存储单元,17根地址线,8根数据线。

7.1.2 设存储器的起始地址为全0,试指出下列存储系统的最高地址为多少?

(1)2K×1 (2)16K×4 (3)256K×32

解:因为存储系统的最高地址=字数十起始地址一1,所以它们的十六进制地址是:

(1) 7FFH (2) 3FFFH (3) 3FFFFH '

7,2.4 一个有1M×1位的DRAM,采用地址分时送人的方法,芯片应具有几条地址线?

解:由于1M=210×210,即行和列共需20根地址线。所以,采用地址分时送人的方法,芯片 应具有10根地址线。

7.2.5 试用一个具有片选使能CE、输出使能OE、读写控制WE、容量为8 K×8位的sRAM 芯片,设计一个16K×16位的存储器系统,试画出其逻辑图。

解:采用8K×8位的sRAM构成16K×16位的存储器系统,必须同时进行字扩展和位扩展。 用2片8K×8位的芯片,通过位扩展构成8K×16位系统,此时需要增加8根数据线。要将 8K×16位扩展成16K×16位的存储器系统,还必须进行字扩展。因此还需2片8K×8位的 芯片通过同样的位扩展,构成8K×16位的存储系统,再与另一个8K×16位存储系统进行 字扩展,从而实现16K×16位的存储器系统,此时还需增加1根地址线。系统共需要4片 8K×8位的SRAM芯片。

用增加的地址线A13控制片选使能CE便可实现字扩展,两片相同地址的sRAM可构成16 位数据线。其逻辑图如图题解7。2.5所示。其中(0)和(1)、(2)和(3)分别构成两个 8K×16位存储系统;非门将A13反相,并将A13和/A13分别连接到两组8K×16的片选使 能端CE上,实现字扩展。

第一章 数字 逻辑 习题

1.1数字电路与数字 信号

1.1.2 图形代表的二进制数

010110100

1.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例

MSBLSB

0 1 2 11 12 (ms)

解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms

频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ

占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%

1.2数制

1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于 42.

(2)127 (4)2.718

解:(2)(127)D=-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H 72

(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H

1.4二进制代码

1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:

(1)43 (3)254.25

解:(43)D=(01000011)BCD

1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28

(1)+ (2)@ (3)you (4)43

解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制 数表示。

(1)“+”的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H

(2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H

(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75

(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,33

1.6逻辑函数及其表示方法

1.6.1 在图题 1. 6.1中,已知输入 信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形。

解: (a)为与非, (b)为 同或非 ,即异或

第二章 逻辑 代数 习题解答

2.1.1 用真值表证明下列恒等式

(3)ABABAB⊕=+(A⊕B)=AB+AB

解:真值表 如下

A

B

AB⊕

AB

AB

AB⊕

AB+AB

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

由最右边2栏可知,与AB+AB的真值表完全相同。

2.1.3 用逻辑代数定律证明下列等式

(3)()AABCACDCDEACDE++++=++

解:()AABCACDCDE++++

(1)ABCACDCDE=+++

AACDCDE=++

ACDCDE=++

ACDE=++

2.1.4 用代数法化简下列各式

(3)()ABCBC+

解:()ABCBC+

()(ABCBC=+++

ABACBBBCCBC=+++++

(1ABCABB=++++

ABC=+

(6)()()()(ABABABAB++++

解:()()()(ABABABAB++++

()()ABABABAB=.+.+++

BABAB=++

ABB=+

AB=+

AB=

(9)ABCDABDBCDABCBDBC++++

解:ABCDABDBCDABCBDBC++++

()(

()

()

()

ABCDDABDBCDCBACADCDBACADBACDABBCBD=++++

=+++

=+++

=++

=++

2.1.7 画出实现下列逻辑表达式的 逻辑电路图,限使用非门和二输入与非门

(1) LABAC=+

(2)()LDAC=+

(3)()(LABCD=++

2.2.2 已知函数L(A,B,C,D)的卡诺图如图所示,试写 出函数L的最简与或表达式

解:(,,,)LABCDBCDBCDBCDABD=+++

2.2.3 用卡诺图化简下列个式

(1)ABCDABCDABADABC++++

解:ABCDABCDABADABC++++

()()()()()ABCDABCDABCCDDADBBCCABCDD=+++++++++

ABCDABCDABCDABCDABCDABCDABCD=++++++

(6) (,,,)(0,2,4,6,9,13)(1,3,5,7,11,15)LABCDmd=+ΣΣ

解:

LAD=+

(7) (,,,)(0,13,14,15)(1,2,3,9,10,11)LABCDmd=+ΣΣ

解:

LADACAB=++

2.2.4 已知逻辑函数LABBCCA=++,试用真值表,卡诺图和逻辑图(限用非门和与非

门)表示

解:1>由逻辑函数写出真值表

A

B

C

L

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

2>由真值表画出卡诺图

3>由卡诺图,得逻辑表达式LABBCAC=++

用摩根定理将与或化为与非表达式

LABBCACABBCAC=++=..

4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图

第三章习题

3.1 MOS逻辑门电路

3.1.1根据表题3.1.1所列的三种逻辑门电路的技术参数,试选择一 种最合适工作在高噪声 环境下的门电路。

表题3.1.1 逻辑门电路的技术参数表

(min)/OHVV

VOL(max)/V

(min)/IHVV

(max)/ILVV

逻辑门A

2.4

0.4

2

0.8

逻辑门B

3.5

0.2

2.5

0.6

逻辑门C

4.2

0.2

3.2

0.8

解:根据表题3.1.1所示逻辑门的参数,以及式(3.1.1)和式(3.1.2),计算出逻辑门A的

高电平和低电平噪声容限分别为:

NHAV=—=2.4V—2V=0.4V (min)OHV(min)IHV

(max)NLAV=—=0.8V—0.4V=0.4V (max)ILV(max)OLV

同理分别求出逻辑门B和C的噪声容限分别为:

NHBV=1V

NLBV=0.4V

NHCV=1V

NLCV=0.6V

电路的噪声容限愈大,其抗干扰能力愈强,综合考虑选择逻辑门C

3.1.3根据表题3.1.3所列的三种门电路的技术参数,计算出它们的延时-功耗积,并确定哪一种

逻辑门性能最好

表题3.1.3 逻辑门电路的技术参数表

/pLHtn

/pHLtn

/DPmW

逻辑门A

1

1.2

16

逻辑门B

5

6

8

逻辑门C

10

10

1

解:延时-功耗积为传输延长时间与功耗的乘积,即

DP= tpdPD

根据上式可以计算出各逻辑门的延时-功耗分别为

ADP =

2PLHPHLtt+

DP=

(11.2)

2ns+

*16mw=17.6* 1210.J=17.6PJ

同理得出: BDP=44PJ CDP=10PJ,逻辑门的DP值愈小,表明它的特性愈好,所以逻辑门C的 性能最好.

3.1.5 为什么说74HC系列CMOS与非门在+5V电源工作时,输入端在以下四种接法下都属 于逻辑0: (1)输入端接地; (2)输入端接低于1.5V的电源; (3)输入端接同类与非门的输 出低电压0.1V; (4)输入端接10kΩ的电阻到地.

解:对于74HC系列CMOS门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:

OLV=0.1V, ILV=1.5V,因此有:

(1) =0

(2)

(3)

(4)由于CMOS管的栅极电流非常小,通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即

Vi

3.1.7求图题3.1.7所示电路的输出逻辑表达式.

解:图解3.1.7所示电路中L1=AB,L2=BC,L3=D,L4实现与功能,即L4=L1L2L3,而

L=

..

4LE..,所以输出逻辑表达式为L=ABBCDE......

3.1.9 图题3.1.9表示三态门作总线传输的示意图,图中n个三态门的输出接到数据传输总 线,D1,D2,„„Dn为数据输入端,CS1,CS2„„CSn为片选信号输入端.试问:

(1) CS信号如何进行控制,以便数据D1,D2, „„Dn通过该总线进行正常传输; (2)CS信号能 否有两个或两个以上同时有效?如果出现两个或两个以上有效,可能发生什么情况? (3)如果 所有CS信号均无效,总线处在什么状态?

解: (1)根据图解3.1.9可知,片选信号CS1,CS2„„CSn为高电平有效,当CSi=1时第i个三 态门被选中,其输入数据被送到数据传输总线上,根据数据传输的速度,分时地给CS1, CS2„„CSn端以正脉冲信号,使其相应的三态门的输出数据能分时地到达总线上.

(2)CS信号不能有两个或两个以上同时有效,否则两个不同的信号将在总线上发生冲突,即总 线不能同时既为0又为1.

(3)如果所有CS信号均无效,总线处于高阻状态.

3.1.12 试分析3.1.12所示的CMOS电路,说明它们的逻辑功能

(A) (B)

(C) (D)

解:对于图题3.1.12(a)所示的CMOS电路,当EN=0时, 和均导通,和

构成的反相器正常工作,L=

2PT2NT1PT1NTA,当EN=1时,和均截止,无论A为高电平还是

低电平,输出端均为高阻状态,其真值表如表题解3.1.12所示,该电路是低电平使能三态 非门,其表示符号如图题解3.1.12(a)所示。

2PT2NT

图题3.1.12(b)所示CMOS电路,EN=0时,导通,或非门打开,和构成反

相器正常工作,L=A;当

2PT1PT1NTEN=1时,截止,或非门输出低电平,使截止,输出端

处于高阻状态,该电路是低电平使能三态缓冲器,其表示符号如图题解3.1.12(b)所示。 2PT1NT

同理可以分析图题3.1.12(c)和图题3.1.12(d)所示的CMOS电路,它们分别为高 电平使能三态缓冲器和低电平使能三态非门 ,其表示符号分别如图题3.1.12(c)和图题

3.1.12(d)所示。

A

L

1

1

1

高阻

1

1

3.1.12(a)

A

L

1

1

1

高阻

1

1

高阻

3.1.12(b)

EN

A

L

高阻

1

高阻

1

1

1

1

3.1.12(c

A

L

1

1

1

高阻

1

1

高阻

3.1.12(d)

3.2.2 为什么说TTL与非门的输入端在以下四种接法下,都属于逻辑1:(1)输入端悬空;

(2)输入端接高于2V的电源;(3)输入端接同类与非门的输出高电压3.6V;(4)输入端 接10kΩ的电阻到地。

解:(1)参见教材图3.2.4电路,当输入端悬空时,T1管的集电结处于正偏,Vcc作用于T1 的集电结和T2,T3管的发射结,使T2,T3饱和,使T2管的集电极电位

Vc2=VcEs2+VBE3=0.2+0.7=0.9V,而T4管若要导通VB2=Vc2≥VBE4+VD=0.7+0.7=1.4V,故T4

截止。又因T3饱和导通,故与非门输出为低电平,由上分析,与非门输入悬空时相当于输 入逻辑1。

(2)当与非门输入端接高于2V的电源时,若T1管的发射结导通,则VBE1≥0.5V,T1管的 基极电位VB≥2+ C1=2.5V。而VB1≥2.1V时,将会使T1的集电结处于正偏,T2,T3处于饱 和状态,使T4截止,与非门输出为低电平。故与非门输出端接高于2V的电源时,相当于 输入逻辑1。

(3)与非门的输入端接同类与非门的输出高电平3.6V输出时,若T1管导通,则

VB1=3.6+0.5=4.1。而若VB1>2.1V时,将使T1的集电结正偏,T2,T3处于饱和状态,这时 VB1被钳位在2.4V,即T1的发射结不可能处于导通状态,而是处于反偏截止。由(1)(2), 当VB1≥2.1V,与非门输出为低电平。

(4)与非门输入端接10kΩ的电阻到地时,教材图3.2.8的与非门输入端相当于解3.2.2图 所示。这时输入电压为VI=(Vcc-VBE)=10(5-0.7)(10+4)=3.07V。若T1导通,

则VBI=3.07+ VBE=3.07+0.5=3.57 V。但VBI是个不可能大于2.1V的。当VBI=2.1V时,将使

T1管的集电结正偏,T2,T3处于饱和,使VBI被钳位在2.1V,因此,当RI=10kΩ时,T1 将处于截止状态,由(1)这时相当于输入端输入高电平。

3.2.3 设有一个74LS04反相器驱动两个74ALS04反相器和四个74LS04反相器。(1)问 驱动门是否超载?(2)若超载,试提出一改进方案;若未超载,问还可增加几个74LS04 门?

解:(1)根据题意,74LS04为驱动门,同时它有时负载门,负载门中还有74LS04。

从主教材附录A查出74LS04和74ALS04的参数如下(不考虑符号)

74LS04:=8mA,=0.4mA;=0.02mA. (max)OLI(max)OHI(max)IHI

4个74LS04的输入电流为:4=4(max)ILI×0.4mA=1.6mA,

4=4(max)IHI×0.02mA=0.08mA

2个74ALS04的输入电流为:2=2(max)ILI×0.1mA=0.2mA,

2=2(max)IHI×0.02mA=0.04mA。

① 拉电流负载情况下如图题解3.2.3(a)所示,74LS04总的拉电流为两部分,即4个 74ALS04的高电平输入电流的最大值4=0.08mA电流之和为

0.08mA+0.04mA=0.12mA.而74LS04能提供0.4mA的拉电流,并不超载。

(max)IHI

② 灌电流负载情况如图题解3.2.3(b)所示,驱动门的总灌电流为1.6mA+0.2mA=1.8mA.

而74LS04能提供8mA的灌电流,也未超载。

(2)从上面分析计算可知,74LS04所驱动的两类负载无论书灌电流还是拉电流均未超

3.2.4 图题3.2.4所示为集电极门74LS03驱动5个CMOS逻辑门,已知OC门输管 截止时的漏电流=0.2mA;负载门的参数为:=4V,=1V,==1A试计算上拉电阻的值。

从主教材附录A查得74LS03的参数为:=2.7V,=0.5V,=8mA.根据

式(3.1.6)形式(3.1.7)可以计算出上拉电阻的值。灌电流情况如图题解3.2.4(a)所示, 74LS03输出为低电平,=5(min)OHV(max)OLV(max)OLI(ILtotalIILI=5×0.001mA=0.005mA,有 =(min)pR(max)

(max)()

DDOLOLILtotalVVII.

.

=

(54)

(80.005)

VmA.

.

≈0.56KΩ

拉电流情况如图题解3.2.4(b)所示,74LS03输出为高电平,

(IHtotalI=5IHI=50.001mA=0.005mA ×

由于

(max)PR=(min)

()()

DDHOLtotalIHtotalVVoII.

+

=

(54)

(0.20.005)

VmA.

.

=4.9KΩ

综上所述,PR的取值范围为0.56Ω~4.9Ω

3.6.7 设计一发光二极管(LED)驱动电路,设LED的参数为FV=2.5V, DI=4.5Ma;若=5V,当 LED发亮时,电路的输出为低电平,选出集成门电路的型号,并画出电路图.

CCV

解:设驱动电路如图题解3.6.7所示,选用74LSO4作为驱动器件,它的 输出低电平电流 =8mA, =0.5V,电路中的限流电阻 (max)OLI(max)OLV

R=(max)CCFOLDVVVI..=

(52.50.5)

4.5vmA..

≈444Ω

第四章 组合逻辑 习题解答

4.1.2 组合逻辑电路及输入波形(A.B)如图题4.1.2所示,试写出 输出端的逻辑表达式 并画出输出波形。

412.bmp

4121.bmp

解:由逻辑 电路写出逻辑表达式

LABABAB=+=..

首先将输入波形分段,然后逐段画出输出波形。

当A.B信号相同时,输出为1,不同时,输出为0,得到输出波形。

如图所示4122.bmp

4.2.1 试用2输入与非门设计一个3输入的组合逻辑电路。当输入的二进制码小于3时, 输出为0;输入大于等于3时,输出为1。

解: 根据组合逻辑的设计过程,首先要确定输入输出变量,列出真值表。由卡诺图化简 得到最简与或式,然后根据要求对表达式进行变换,画出逻辑图

1) 设入变量为A.B.C输出变量为L,根据题意列真值表

A B C L

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

2) 由卡诺图化简,经过变换得到逻辑表达式

4211.bmp

*LABCABC=+=

3) 用2输入与非门实现上述逻辑表达式 4212.bmp

4.2.7 某足球评委会由一位教练和三位球迷组成,对裁判员的判罚进行表决。当满足以 下条件时表示同意;有三人或三人以上同意,或者有两人同意,但其中一人是叫教练。试用 2输入与非门设计该表决电路。

解: 1)设一位教练和三位球迷分别用A和B.C.D表示,并且这些输入变量为1时表示同 意,为0时表示不同意,输出L表示表决结果。L为1时表示同意判罚,为0时表示不同意。 由此列出真值表

输入 输出

A B C D L

1

1

1

1

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1

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1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

2)由真值表画卡诺图

427.bmp

由卡诺图化简得L=AB+AC+AD+BCD

由于规定只能用2输入与非门,将上式变换为两变量的与非——与非运算式

*******LABACADBCDABACADBCD==

3)根据L的逻辑表达式画出由2输入与非门组成的逻辑电路

4273.bmp

4.3.3 判断图所示电路在什么条件下产生竞争冒险,怎样修改电路能消除竞争冒险?

433.bmp

解: 根据电路图写出逻辑表达式并化简得*LABBC=+

当A=0,C=1时,LBB=+ 有可能产生竞争冒险,为消除可能产生的竞争冒险,

增加乘积项使AC ,使 *LABBCAC=++ ,修改后的电路如图

4332.bmp

4.4.4 试用74HC147设计键盘编码电路,十个按键分别对应十进制数0~9,编码器的输出 为8421BCD码。要求按键9的优先级别最高,并且有工作状态标志,以说明没有按键按下和 按键0按下两种情况。

解:真值表

电路图

4.4.6 用译码器74HC138和适当的逻辑门实现函数F=.

解:将函数式变换为最小项之和的形式

F==

将输入变量A、B、C分别接入、、端,并将使能端接有效电平。由于74HC138

是低电平有效输出,所以将最小项变换为反函数的形式

L =

在译码器的输出端加一个与非门,实现给定的组合函数。

4.4.14 七段显示译码电路如图题4.4.14(a)所示,对应图题4.4,14(b)所示输人波 形,试确定显示器显示的字符序列

解:当LE=0时,图题4,4。14(a)所示译码器能正常工作。所显示的字符即为A2A2A1A 所表示的十进制数,显示的字符序列为0、1、6 、9、4。当LE由0跳变1时,数字4被锁 存,所以持续显示4。

4.4.19试用4选1数据选择器74HC153产生逻辑函数. (,,)(1,2,6,7)LABCm=Σ

解:74HC153的功能表如教材中表解4.4.19所示。根据表达式列出真值表如下。 将变量A、B分别接入地址选择输入端、,变量C接入输入端。从表中可以

看出输出L与变量C之间的关系,当AB=00时,L=C,因此数据端

1S0S0I接C;当AB=01

时,L=,

__

C1I接;当AB为10和11时,L分别为0和1,数据输入端

__

C2I和3I分

别接0和1。由此可得逻辑函数产生器,如图解4.4.19所示。

输入

输出

A

B

C

L

L=C

1

1

1

1

__

LC=

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

4.4.21 应用74HC151实现如下逻辑函数。

解:1.154mmmCBACBACBAF++=++=

D1=D4=D5=1,其他=0

2.

4,4.26 试用数值比较器74HC85设计一个8421BCD码有效性测试电路,当输人 为8421BCD码时,输出为1,否则为0。

解:测试电路如图题解4.4.26所示,当输人的08421BCD码小于1010时,FA<B输出为1,否则 0为0。 1

4.4.31 由4位数加法器74HC283构成的逻辑电路如图题4。4.31所示,M和

N为控制端,试分析该电路的功能。

解:分析图题4.4,31所示电路,根据MN的不同取值,确定加法器74HC283

的输入端B3B2B1B0的值。当MN=00时,加法器74HC283的输人端B3B2B1B0=

0000,则加法器的输出为S=I。当MN=01时,输入端B3B2B1B0=0010,加法器 的输出S=I+2。同理,可分析其他情况,如表题解4.4.31所示。

该电路为可控制的加法电路。

第六章 习题答案

6.1.6已知某时序电路的状态表如表题6.1,6所示,输人为A,试画出它的状态图。如果 电路的初始状态在b,输人信号A依次是0、1、0、1、1、1、1,试求其相应的输出。

解:根据表题6。1.6所示的状态表,可直接画出与其对应的状态图,如图题解6.1。6(a)

所示。当从初态b开始,依次输人0、1、0、1、1、1、1信号时,该时序电路将按图题解6,

1.6(b)所示的顺序改变状态,因而其相应的输出为1、0、1、0、1、0、1。

6.2.1试分析图题6。2.1(a)所示时序电路,画出其状态表和状态图。设电路的初始状态 为0,试画出在图题6.2.1(b)所示波形作用下,Q和z的波形图。

解:状态方程和输出方程:

6.2.4 分析图题6.2。4所示电路,写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程,画出状 态表和状态图。

解:激励方程

状态方程

输出方程

Z=AQ1Q0

根据状态方程组和输出方程可列出状态表,如表题解6.2.4所示,状态图如图题解6。2.4 所示。

6.2.5 分析图题6.2.5所示同步时序电路,写出各触发器的激励方程、电路的状态方程组 和输出方程,画出状态表和状态图。

解:激励方程

状态方程

输出方程

根据状态方程组和输出方程列出该电路的状态表,如表题解6,2,5所示,状态图如图题解 6。2.5所示。

6.3.1 用JK触发器设计一个同步时序电路,状态表如下

解:所要设计的电路有4个状态,需要用两个JK触发器实现。

(1)列状态转换真值表和激励表

由表题6。3.1所示的状态表和JK触发器的激励表,可列出状态转换真值表和对各触发器 的激励信号,如表题解6.3。1所示。

(2)求激励方程组和输出方程

由表题解6.3.1画出各触发器J、K端和电路输出端y的卡诺图,如图题解6.3.1(a) 所示。从而,得到化简的激励方程组

输出方程

Y=Q1Q0

Q1Q0A

由输出方程和激励方程话电路

6.3.4 试用下降沿出发的D触发器设计一同步时序电路,状态图如6.3.4(a), S0S1S2的编 码如6.3.4(a)

解:图题6.3。4(b)以卡诺图方式表达出所要求的状态编码方案,即S0=00,Si=01, S2=10,S3为无效状态。电路需要两个下降沿触发的D触发器实现,设两个触发器的输出 为Q1、Q0,输人信号为A,输出信号为Y

(1)由状态图可直接列出状态转换真值表,如表题解6。3.4所示。无效状态的次态可用 无关项×表示。

(2)画出激励信号和输出信号的卡诺图。根据D触发器的特性方程,可由状态转换真值表 直接画出2个卡诺图,如图题解6.3。4(a)所示。 |

(3)由卡诺图得激励方程

输出方程

Y=AQ1

(4)根据激励方程组和输出方程画出逻辑电路图,如图题解6.3.4(b)所示。

(5)检查电路是否能自启动。由D触发器的特性方程Q^←l=D,可得图题解6.3,4(b) 所示电路的状态方程组为

代入无效状态11,可得次态为00,输出Y=1。如图(c)

6.5.1 试画出图题⒍⒌1所示电路的输出(Q3—Q0)波形,分析电路的逻辑功能。

解:74HC194功能由S1S0控制

00 保持, 01右移 10 左移 11 并行输入

当启动信号端输人一低电平时,使S1=1,这时有S。=Sl=1,移位寄存器74HC194执行并 行输人功能,Q3Q2Q1Q0=D3D2D1D0=1110。启动信号撤消后,由于Q。=0,经两级与

非门后,使S1=0,这时有S1S0=01,寄存器开始执行右移操作。在移位过程中,因为Q3Q2、 Q1、Q0中总有一个为0,因而能够维持S1S0=01状态,使右移操作持续进行下去。其移位 情况如图题解6,5,1所示。

由图题解6.5。1可知,该电路能按固定的时序输出低电平脉冲,是一个四相时序脉冲产生 电路。

6.5.6 试用上升沿触发的D触发器及门电路组成3位同步二进制加1计数器;画出逻辑图

解:3位二进制计数器需要用3个触发器。因是同步计数器,故各触发器的CP端接同一时 钟脉冲源。

(1)列出该计数器的状态表和激励表,如表题解6.5.6所示‘

(2) 用卡诺图化简,得激励方程

(3)画出电路

6.5.10 用JK触发器设计一个同步六进制加1计数器

解:需要3个触发器

(1)状态表,激励表

(2)用卡诺图化简得激励方程

(3)画出电路图

(4)检查自启动能力。

当计数器进入无效状态110时,在CP脉冲作用下,电路的状态将按

110→111-→000 变化,计数器能够自启动。

6.5.15 试用74HCT161设计一个计数器,其计数状态为自然二进制数1001~1111。

解:由设计要求可知,74HCT161在计数过程中要跳过0000~1000九个状态而保留1001~ 1111七个状态。因此,可用“反馈量数法”实现:令74HCT161的数据输人端D3D2D1D0=1001,并将进位信号TC经反相器反相后加至并行置数使能端上。所设计的电路如图题解 6。5.15所示。161为异步清零,同步置数。

6.5.18 试分析电路,说明电路是几进制计数器

解:两片74HCT161级联后,最多可能有162=256个不同的状态。而用“反馈置数法”构 成的图题6.5。18所示电路中,数据输人端所加的数据01010010,它所对应的十进制数是 82,说明该电路在置数以后从01010010态开始计数,跳过了82个状态。因此,该计数器的 模M=255-82=174,即一百七十四进制计数器。

6.5.19 试用74HCT161构成同步二十四一制计数器,要求采用两种不同得方法。

解:因为M=24,有16<M<256,所以要用两片74HCT161。将两芯片的CP端直接与计数 脉冲相连,构成同步电路,并将低位芯片的进位信号连到高位芯片的计数使能端。用“反馈 清零法”或“反馈置数法”跳过256-24=232个多余状态。

反馈清零法:利用74HCT161的“异步清零”功能,在第24个计数脉冲作用后,电路的输 出状态为00011000时,将低位芯片的Q3及高位芯片的Q0信号经与非门产生清零信号,输 出到两芯片的异步清零端,使计数器从00000000状态开始重新计数。其电路如图题解6.5.19(a)所示。

反馈置数法:利用74HCT161的“同步预置”功能,在两片74HCT161的数据输入端上从高 位到低位分别加上11101000(对应的十进制数是232),并将高位芯片的进位信号经反相器 接至并行置数使能端。这样,在第23个计数脉冲作用后,电路输出状态为11111111,使进 位信号TC=1,将并行置数使能端置零。在第24个计数脉冲作用后,将11101000状态置人 计数器,并从此状态开始重新计数。其电路如图题解6。5.19(b)所示。

第七章 习题答案

7.1.1 指出下列存储系统各具有多少个存储单元,至少需要几根地址线和数据线。

(1)64K×1 (2)256K×4 (3)lM×1 (4)128K×8

解:求解本题时,只要弄清以下几个关系就能很容易得到结果:

存储单元数=字数×位数

地址线根数(地址码的位数)n与字数N的关系为:N=2n

数据线根数=位数

(1)存储单元〓64K×1〓64K(注:lK=1024);因为,64K〓2’。,即亢〓16,所以地址 线为16根;数据线根数等于位数,此处为1根。

同理得:

(2)1M个存储单元,18根地址线,4根数据线。

(3)1M个存储单元,18根地址线,1根数据线。 ! _

(4)lM个存储单元,17根地址线,8根数据线。

7.1.2 设存储器的起始地址为全0,试指出下列存储系统的最高地址为多少?

(1)2K×1 (2)16K×4 (3)256K×32

解:因为存储系统的最高地址=字数十起始地址一1,所以它们的十六进制地址是:

(1) 7FFH (2) 3FFFH (3) 3FFFFH '

7,2.4 一个有1M×1位的DRAM,采用地址分时送人的方法,芯片应具有几条地址线?

解:由于1M=210×210,即行和列共需20根地址线。所以,采用地址分时送人的方法,芯片 应具有10根地址线。

7.2.5 试用一个具有片选使能CE、输出使能OE、读写控制WE、容量为8 K×8位的sRAM 芯片,设计一个16K×16位的存储器系统,试画出其逻辑图。

解:采用8K×8位的sRAM构成16K×16位的存储器系统,必须同时进行字扩展和位扩展。 用2片8K×8位的芯片,通过位扩展构成8K×16位系统,此时需要增加8根数据线。要将 8K×16位扩展成16K×16位的存储器系统,还必须进行字扩展。因此还需2片8K×8位的 芯片通过同样的位扩展,构成8K×16位的存储系统,再与另一个8K×16位存储系统进行 字扩展,从而实现16K×16位的存储器系统,此时还需增加1根地址线。系统共需要4片 8K×8位的SRAM芯片。

用增加的地址线A13控制片选使能CE便可实现字扩展,两片相同地址的sRAM可构成16 位数据线。其逻辑图如图题解7。2.5所示。其中(0)和(1)、(2)和(3)分别构成两个 8K×16位存储系统;非门将A13反相,并将A13和/A13分别连接到两组8K×16的片选使 能端CE上,实现字扩展。


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