实验一绝缘栅双极型晶体管

实验一 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)特性与驱动电路研究

一.实验目的:

1. 熟悉IGBT开关特性的测试方法;

2. 掌握混合集成驱动电路EXB840的工作原理与调试方法。

二.实验内容

1. EXB840性能测试; 2. IGBT开关特性测试; 3. 过流保护性能测试。

三.实验方法

1.EXB840性能测试 (1)输入输出延时时间测试

IGBT部分的“1”与PWM波形发生部分的“1” 相连,IGBT部分的“13”与PWM波形发生部分的“2”相连,再将IGBT部分的“10”与“13” 相连,与门输入“2”与“1”相连,用示波器观察输入“1”与“13”及EXB840输出“12”与“13”之间波形,记录开通与关断延时时间。

ton= ,toff=

(2)保护输出部分光耦延时时间测试

将IGBT部分“10”与“13”的连线断开,并将“6”与“7”相连。用示波器观察“8”与“13”及“4”与“13” 之间波形,记录延时时间。

(3)过流慢速关断时间测试

接线同上,用示波器观察“1”与“13”及“12”与“13”之间波形,记录慢速关断时间。

(4)关断时的负栅压测试

断开“10”与“13”的相连,其余接线同上,用示波器观察“12”与“17”之间波形,记录关断时的负栅压值。

(5)过流阀值电压测试

断开“10”与“13” 的连接,断开“2”与“1”的连接,分别连接“2”与“3”,“4”与“5”,“6”与“7”,分别将主回路的“3”与“4”和“10”与“17”相连,即按照以下表格的说明连线。

1

将主电路的RP左旋到底,用示波器观察“12”与“17”之间波形,将RP逐渐向右旋转,边旋转边监视波形,一旦该波形消失时即停止旋转,测出主回路“3”与“4”之间电压值,该值即为过流保护阀值电压值。

2.开关特性测试

(1)电阻负载时开关特性测试

将“1”与“13”分别与波形发生器“1”与“2”相连,“4”与“5”,“6”与“7”,‘2“与”3“,“12”与“14”,“10”与“18”, “17”与“16”相连,主回路的“1”用示波器分别观察“14”与“15”及“16”与“15”的波形,记录开通延迟时间。 (2)电阻,电感负载时开关特性测试

将主回路“1”与“18”的连线断开,再将主回路“2”与“18”相连,用示波器分别观察“14”与“15”及“16”与“15”的波形,记录开通延迟时间。

(3)不同栅极电阻时开关特性测试

将“12”与“14”的连线断开,再将“11”与“14”相连,栅极电阻从R5=3kΩ改为R4=27Ω,其余接线与测试方法同上。

3.并联缓冲电路作用测试

(1)将IGBT部分的“18”与“19”相连,IGBT部分的“17”与“20”相连。 (2)电阻负载,有与没有缓冲电路时观察“14”与“17”及“18”与“17”之间波形。

(3)电阻,电感负载,有与没有缓冲电路时,观察波形同上。 4.过流保护性能测试,栅计电阻用R4

在上述接线基础上,将“4”与“5”,“6”与“7”相连,观察“14”与“17”之间

2

波形,然后将“10”与“18”之间连线断开,并观察驱动波形是否消失,过流指示灯是否发亮,待故障消除后,揿复位按钮即可继续进行试验。

3. 绘出电阻负载,电阻电感负载以及不同栅极电阻时的开关波形,并在图上标出

tON 与tOFF。

4. 绘出电阻负载与电阻、电感负载有与没有并联缓冲电路时的开关波形,并说明

并联缓冲电路的作用。

5. 过流保护性能测试结果,并对该过流保护电路作出评价。

3

实验二 三相桥式全控整流电路实验

一.实验目的

1.熟悉三相桥式全控整流电路的接线及工作原理。 2.了解集成触发器的调整方法及各点波形。

二.实验内容

1.三相桥式全控整流电路

2.观察整流或逆变状态下,模拟电路故障现象时的波形。

三.实验方法

1.按图接线,未上主电源之前,检查晶闸管的脉冲是否正常。

(1)主电路未通电,接通MCL一32T电源控制屏的“低压直流电源”开关,将MCL-31板上的直流低压电源引到MCL-33板上.

(2)用示波器观察MCL-33的双脉冲观察孔,应有间隔均匀,相互间隔60o的幅度相同的双脉冲。

(3)检查相序,用示波器观察“1”,“2”单脉冲观察孔,“1” 脉冲超前“2” 脉冲600,则相序正确,否则,应调整输入电源。

(4)将MCL-33板上的Ublf接地,接通“低压直流电源”,用示波器的一个探头逐个观察每个晶闸管的控制极、阴极电压波形,应有幅值为1V~2V的双脉冲。(注意:此时要逐个测试,不得同时观察两个晶闸管上的脉冲)

注:将面板上的Ublf(当三相桥式全控变流电路使用I组桥晶闸管VT1~VT6时)接地,将I组桥式触发脉冲的六个开关均拨到“接通”(处于弹起状态)。

(5)将给定器输出Ug接至MCL-33面板的Uct端,调节偏移电压Ub,在Uct=0时,使=150o。具体方法为:用双踪示波器的一路接U相同步电压,另一路接1#脉冲孔的触发脉冲,调节偏移电压Ub电位器,使得脉冲出现的位置刚好对应于U相同步电压的150o位置。(注意:示波器两路输入的横轴必须重合,否则将会产生误差) 2.三相桥式全控整流电路

按图4-12接线,S拨向左边短接线端,将Rd调至最大(450)。

调节Uct(即给定器输出Ug电位器),使在30o~90o范围内(具体方法和1中的(5)相同),用示波器观察记录=30O、60O、90O时,整流电压ud=f(t),晶闸管两端电压uVT=f(t)的波形,并记录相应的Ud和交流输入电压U2数值。

3.电路模拟故障现象观察。

(1)在整流状态时,断开某一晶闸管元件的触发脉冲开关(依次按下触发脉冲

4

的六个开关中其中一个),则该元件无触发脉冲即该支路不能导通,观察并分别记录此时的ud波形。

(2)断开两只晶闸管元件的触发脉冲开关(任意按下触发脉冲六个开关中其中两个),观察并分别记录此时的ud波形。

(3)断开三只晶闸管元件的触发脉冲开关(任意按下触发脉冲六个开关中其中三个),观察并分别记录此时的ud波形。

四.实验报告

1.画出电路的移相特性Ud=f()曲线;

2.作出整流电路的输入—输出特性Ud/U2=f(α);

3.画出三相桥式全控整流电路时,角为30O、60O、90O时的ud、uVT波形;4.画出模拟故障的波形图并简单分析模拟故障现象。

5

实验三 直流斩波电路的性能研究

一.实验目的

熟悉降压斩波电路(Buck Chopper)和升压斩波电路(Boost Chopper)的工作原理,掌握这两种基本斩波电路的工作状态及波形情况。

二.实验内容

1.SG3525芯片的调试。

2.降压斩波电路的波形观察及电压测试。 3.升压斩波电路的波形观察及电压测试。

将扭子开关S1打向“直流斩波”侧,S2电源开关打向“ON”,将“3”端和“4”端用导线短接,用示波器观察“1”端输出电压波形应为锯齿波,并记录其波形的频率和幅值。

扭子开关S2扳向“ON”,用导线分别连接“5”、“6”,用示波器观察“5”端波形,并记录其波形、频率、幅度,调节“脉冲宽度调节”电位器,记录其最大占空比和最小

7

占空比。

Dmax=

Dmin=

2.实验接线图见图5—12(接线时请断开电源,即把钥匙开关关闭)。

(1)切断MCL-16主电源,分别将“主电源2”的“1”端和“直流斩波电路”的

四.注意事项

(1)“主电路电源2”的实验输出电压为15V,输出电流为1A,当改变负载电路时,注意R值不可过小,否则电流太大,有可能烧毁电源内部的熔断丝。

(2)实验过程当中先加控制信号,后加“主电路电源2”。

(3)做升压实验时,注意“PWM波形发生器”的“S1”一定要打在“直流斩波”,如果打在“半桥电源”极易烧毁“主电路电源2” 内部的熔断丝。

五.实验报告

1.分析PWM波形发生的原理

2.记录在某一占空比D下,降压斩波电路中,MOSFET的栅源电压波形,输出电压u0波形,输出电流i0的波形,并绘制降压斩波电路的Ui/Uo-D曲线,与理论分析结果进行比较,并讨论产生差异的原因。

9

实验四 单相交直交变频电路的性能研究

一.实验目的

熟悉单相交直交变频电路的组成,重点熟悉其中的单相桥式PWM逆变电路中元器件的作用,工作原理,对单相交直交变频电路在电阻负载、电阻电感负载时的工作情况及其波形作全面分析,并研究工作频率对电路工作波形的影响。

二.实验内容

1.测量SPWM波形产生过程中的各点波形。 2.观察变频电路输出在不同的负载下的波形。

三.实验设备及仪器

1.电力电子及电气传动主控制屏。 2.MCL-16组件。

3.电阻、电感元件(MEL-03、700mH电感)。 4.双踪示波器。 5.万用表。

10

单相交直交变频电路的主电路如图5—13所示。

本实验中主电路中间直流电压ud由交流电整流而得,而逆变部分别采用单相桥式PWM逆变电路。逆变电路中功率器件采用600V8A的IGBT单管(含反向二极管,型号为ITH08C06),IGBT的驱动电路采用美国国际整流器公司生产的大规模MOSFET和IGBT专用驱动集成电路1R2110,控制电路如图5—12所示,以单片集成函数发生器ICL8038为核心组成,生成两路PWM信号,分别用于控制VT1、VT4和VT2、VT3两对IGBT。ICL8038仅需很小的外部元件就可以正常工作,用于发生正弦波、三角波、方波等,频率范围0.001到500kHz。

五.实验方法

2(3)观察经过三角波和正弦波比较后得到的SPWM波形(“3”端与“地”端),并比较“3”端和“4”端的相位关系。

(4)观察对VT1、VT2进行控制的SPWM信号(“5”端与“地”端)和对VT3、VT4进行控制的SPWM信号(“6”端与“地”端),仔细观察“5”端信号和“6”端

11

防号之间的互锁延迟时间。

2.驱动信号观察

在主电路不接通电源情况下,S3扭子开关打向“OFF”,分别将“SPWM波形发生”的G1、E1、G2、E2、G3、E3、G4和“单相交直交变频电路”的对应端相连。经检查接线正确后,S3扭子开关打向“ON”,对比VTI和VT2的驱动信号,VT3和VT4的驱动信号,仔细观察同一相上、下两管驱动信号的波形,幅值以及互锁延迟时间。

3.S3扭子开关打向“OFF”,分别将“主电源2”的输出端“1”和“单相交直交变频电路”的“1”端相连, “主电源2”的输出端“2”和“单相交直交变频电路”的“2”端相连,将“单相交直交变频电路”的“4”、“5”端分别串联MEL-03电阻箱 (将一组900Ω/0.41A并联,然后顺时针旋转调至阻值最大约450Ω) 和直流安培表(将量程切换到2A挡)。将经检查无误后,S3扭子开关打向“ON”,合上主电源(调节负载电阻阻值使输出负载电压波形达到最佳值,电阻负载阻值在90Ω~360Ω时波形最好)。

4.当负载为电阻时,观察负载电压的波形,记录其波形、幅值、频率。在正弦波Ur的频率可调范围内,改变Ur的频率多组,记录相应的负载电压、波形、幅值和频率。

5.当负载为电阻电感时,观察负载电压和负载电流的波形。

六.注意事项

1.“输出端”不允许开路,同时最大电流不允许超过“1A”。

2.注意电源要使用“主电源2”的“15V”电压其他同“直流斩波”电路相同。

七.实验报告

1.绘制完整的实验电路原理图。

2.电阻负载时,列出数据和波形,并进行讨论分析。 3.电阻电感负载时,列出数据和波形,并进行讨论及分析。 4.分析说明实验电路中的PWM控制是采用同步调制还是异步调制。 5.为使输出波形尽可能的接近正弦波,可以采取什么措施。

6.分析正弦波与三角波之间不同的载波比情况下的负载波形,理解改变载波比对输出功率管和输出波形的影响。

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实验一 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)特性与驱动电路研究

一.实验目的:

1. 熟悉IGBT开关特性的测试方法;

2. 掌握混合集成驱动电路EXB840的工作原理与调试方法。

二.实验内容

1. EXB840性能测试; 2. IGBT开关特性测试; 3. 过流保护性能测试。

三.实验方法

1.EXB840性能测试 (1)输入输出延时时间测试

IGBT部分的“1”与PWM波形发生部分的“1” 相连,IGBT部分的“13”与PWM波形发生部分的“2”相连,再将IGBT部分的“10”与“13” 相连,与门输入“2”与“1”相连,用示波器观察输入“1”与“13”及EXB840输出“12”与“13”之间波形,记录开通与关断延时时间。

ton= ,toff=

(2)保护输出部分光耦延时时间测试

将IGBT部分“10”与“13”的连线断开,并将“6”与“7”相连。用示波器观察“8”与“13”及“4”与“13” 之间波形,记录延时时间。

(3)过流慢速关断时间测试

接线同上,用示波器观察“1”与“13”及“12”与“13”之间波形,记录慢速关断时间。

(4)关断时的负栅压测试

断开“10”与“13”的相连,其余接线同上,用示波器观察“12”与“17”之间波形,记录关断时的负栅压值。

(5)过流阀值电压测试

断开“10”与“13” 的连接,断开“2”与“1”的连接,分别连接“2”与“3”,“4”与“5”,“6”与“7”,分别将主回路的“3”与“4”和“10”与“17”相连,即按照以下表格的说明连线。

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将主电路的RP左旋到底,用示波器观察“12”与“17”之间波形,将RP逐渐向右旋转,边旋转边监视波形,一旦该波形消失时即停止旋转,测出主回路“3”与“4”之间电压值,该值即为过流保护阀值电压值。

2.开关特性测试

(1)电阻负载时开关特性测试

将“1”与“13”分别与波形发生器“1”与“2”相连,“4”与“5”,“6”与“7”,‘2“与”3“,“12”与“14”,“10”与“18”, “17”与“16”相连,主回路的“1”用示波器分别观察“14”与“15”及“16”与“15”的波形,记录开通延迟时间。 (2)电阻,电感负载时开关特性测试

将主回路“1”与“18”的连线断开,再将主回路“2”与“18”相连,用示波器分别观察“14”与“15”及“16”与“15”的波形,记录开通延迟时间。

(3)不同栅极电阻时开关特性测试

将“12”与“14”的连线断开,再将“11”与“14”相连,栅极电阻从R5=3kΩ改为R4=27Ω,其余接线与测试方法同上。

3.并联缓冲电路作用测试

(1)将IGBT部分的“18”与“19”相连,IGBT部分的“17”与“20”相连。 (2)电阻负载,有与没有缓冲电路时观察“14”与“17”及“18”与“17”之间波形。

(3)电阻,电感负载,有与没有缓冲电路时,观察波形同上。 4.过流保护性能测试,栅计电阻用R4

在上述接线基础上,将“4”与“5”,“6”与“7”相连,观察“14”与“17”之间

2

波形,然后将“10”与“18”之间连线断开,并观察驱动波形是否消失,过流指示灯是否发亮,待故障消除后,揿复位按钮即可继续进行试验。

3. 绘出电阻负载,电阻电感负载以及不同栅极电阻时的开关波形,并在图上标出

tON 与tOFF。

4. 绘出电阻负载与电阻、电感负载有与没有并联缓冲电路时的开关波形,并说明

并联缓冲电路的作用。

5. 过流保护性能测试结果,并对该过流保护电路作出评价。

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实验二 三相桥式全控整流电路实验

一.实验目的

1.熟悉三相桥式全控整流电路的接线及工作原理。 2.了解集成触发器的调整方法及各点波形。

二.实验内容

1.三相桥式全控整流电路

2.观察整流或逆变状态下,模拟电路故障现象时的波形。

三.实验方法

1.按图接线,未上主电源之前,检查晶闸管的脉冲是否正常。

(1)主电路未通电,接通MCL一32T电源控制屏的“低压直流电源”开关,将MCL-31板上的直流低压电源引到MCL-33板上.

(2)用示波器观察MCL-33的双脉冲观察孔,应有间隔均匀,相互间隔60o的幅度相同的双脉冲。

(3)检查相序,用示波器观察“1”,“2”单脉冲观察孔,“1” 脉冲超前“2” 脉冲600,则相序正确,否则,应调整输入电源。

(4)将MCL-33板上的Ublf接地,接通“低压直流电源”,用示波器的一个探头逐个观察每个晶闸管的控制极、阴极电压波形,应有幅值为1V~2V的双脉冲。(注意:此时要逐个测试,不得同时观察两个晶闸管上的脉冲)

注:将面板上的Ublf(当三相桥式全控变流电路使用I组桥晶闸管VT1~VT6时)接地,将I组桥式触发脉冲的六个开关均拨到“接通”(处于弹起状态)。

(5)将给定器输出Ug接至MCL-33面板的Uct端,调节偏移电压Ub,在Uct=0时,使=150o。具体方法为:用双踪示波器的一路接U相同步电压,另一路接1#脉冲孔的触发脉冲,调节偏移电压Ub电位器,使得脉冲出现的位置刚好对应于U相同步电压的150o位置。(注意:示波器两路输入的横轴必须重合,否则将会产生误差) 2.三相桥式全控整流电路

按图4-12接线,S拨向左边短接线端,将Rd调至最大(450)。

调节Uct(即给定器输出Ug电位器),使在30o~90o范围内(具体方法和1中的(5)相同),用示波器观察记录=30O、60O、90O时,整流电压ud=f(t),晶闸管两端电压uVT=f(t)的波形,并记录相应的Ud和交流输入电压U2数值。

3.电路模拟故障现象观察。

(1)在整流状态时,断开某一晶闸管元件的触发脉冲开关(依次按下触发脉冲

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的六个开关中其中一个),则该元件无触发脉冲即该支路不能导通,观察并分别记录此时的ud波形。

(2)断开两只晶闸管元件的触发脉冲开关(任意按下触发脉冲六个开关中其中两个),观察并分别记录此时的ud波形。

(3)断开三只晶闸管元件的触发脉冲开关(任意按下触发脉冲六个开关中其中三个),观察并分别记录此时的ud波形。

四.实验报告

1.画出电路的移相特性Ud=f()曲线;

2.作出整流电路的输入—输出特性Ud/U2=f(α);

3.画出三相桥式全控整流电路时,角为30O、60O、90O时的ud、uVT波形;4.画出模拟故障的波形图并简单分析模拟故障现象。

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实验三 直流斩波电路的性能研究

一.实验目的

熟悉降压斩波电路(Buck Chopper)和升压斩波电路(Boost Chopper)的工作原理,掌握这两种基本斩波电路的工作状态及波形情况。

二.实验内容

1.SG3525芯片的调试。

2.降压斩波电路的波形观察及电压测试。 3.升压斩波电路的波形观察及电压测试。

将扭子开关S1打向“直流斩波”侧,S2电源开关打向“ON”,将“3”端和“4”端用导线短接,用示波器观察“1”端输出电压波形应为锯齿波,并记录其波形的频率和幅值。

扭子开关S2扳向“ON”,用导线分别连接“5”、“6”,用示波器观察“5”端波形,并记录其波形、频率、幅度,调节“脉冲宽度调节”电位器,记录其最大占空比和最小

7

占空比。

Dmax=

Dmin=

2.实验接线图见图5—12(接线时请断开电源,即把钥匙开关关闭)。

(1)切断MCL-16主电源,分别将“主电源2”的“1”端和“直流斩波电路”的

四.注意事项

(1)“主电路电源2”的实验输出电压为15V,输出电流为1A,当改变负载电路时,注意R值不可过小,否则电流太大,有可能烧毁电源内部的熔断丝。

(2)实验过程当中先加控制信号,后加“主电路电源2”。

(3)做升压实验时,注意“PWM波形发生器”的“S1”一定要打在“直流斩波”,如果打在“半桥电源”极易烧毁“主电路电源2” 内部的熔断丝。

五.实验报告

1.分析PWM波形发生的原理

2.记录在某一占空比D下,降压斩波电路中,MOSFET的栅源电压波形,输出电压u0波形,输出电流i0的波形,并绘制降压斩波电路的Ui/Uo-D曲线,与理论分析结果进行比较,并讨论产生差异的原因。

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实验四 单相交直交变频电路的性能研究

一.实验目的

熟悉单相交直交变频电路的组成,重点熟悉其中的单相桥式PWM逆变电路中元器件的作用,工作原理,对单相交直交变频电路在电阻负载、电阻电感负载时的工作情况及其波形作全面分析,并研究工作频率对电路工作波形的影响。

二.实验内容

1.测量SPWM波形产生过程中的各点波形。 2.观察变频电路输出在不同的负载下的波形。

三.实验设备及仪器

1.电力电子及电气传动主控制屏。 2.MCL-16组件。

3.电阻、电感元件(MEL-03、700mH电感)。 4.双踪示波器。 5.万用表。

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单相交直交变频电路的主电路如图5—13所示。

本实验中主电路中间直流电压ud由交流电整流而得,而逆变部分别采用单相桥式PWM逆变电路。逆变电路中功率器件采用600V8A的IGBT单管(含反向二极管,型号为ITH08C06),IGBT的驱动电路采用美国国际整流器公司生产的大规模MOSFET和IGBT专用驱动集成电路1R2110,控制电路如图5—12所示,以单片集成函数发生器ICL8038为核心组成,生成两路PWM信号,分别用于控制VT1、VT4和VT2、VT3两对IGBT。ICL8038仅需很小的外部元件就可以正常工作,用于发生正弦波、三角波、方波等,频率范围0.001到500kHz。

五.实验方法

2(3)观察经过三角波和正弦波比较后得到的SPWM波形(“3”端与“地”端),并比较“3”端和“4”端的相位关系。

(4)观察对VT1、VT2进行控制的SPWM信号(“5”端与“地”端)和对VT3、VT4进行控制的SPWM信号(“6”端与“地”端),仔细观察“5”端信号和“6”端

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防号之间的互锁延迟时间。

2.驱动信号观察

在主电路不接通电源情况下,S3扭子开关打向“OFF”,分别将“SPWM波形发生”的G1、E1、G2、E2、G3、E3、G4和“单相交直交变频电路”的对应端相连。经检查接线正确后,S3扭子开关打向“ON”,对比VTI和VT2的驱动信号,VT3和VT4的驱动信号,仔细观察同一相上、下两管驱动信号的波形,幅值以及互锁延迟时间。

3.S3扭子开关打向“OFF”,分别将“主电源2”的输出端“1”和“单相交直交变频电路”的“1”端相连, “主电源2”的输出端“2”和“单相交直交变频电路”的“2”端相连,将“单相交直交变频电路”的“4”、“5”端分别串联MEL-03电阻箱 (将一组900Ω/0.41A并联,然后顺时针旋转调至阻值最大约450Ω) 和直流安培表(将量程切换到2A挡)。将经检查无误后,S3扭子开关打向“ON”,合上主电源(调节负载电阻阻值使输出负载电压波形达到最佳值,电阻负载阻值在90Ω~360Ω时波形最好)。

4.当负载为电阻时,观察负载电压的波形,记录其波形、幅值、频率。在正弦波Ur的频率可调范围内,改变Ur的频率多组,记录相应的负载电压、波形、幅值和频率。

5.当负载为电阻电感时,观察负载电压和负载电流的波形。

六.注意事项

1.“输出端”不允许开路,同时最大电流不允许超过“1A”。

2.注意电源要使用“主电源2”的“15V”电压其他同“直流斩波”电路相同。

七.实验报告

1.绘制完整的实验电路原理图。

2.电阻负载时,列出数据和波形,并进行讨论分析。 3.电阻电感负载时,列出数据和波形,并进行讨论及分析。 4.分析说明实验电路中的PWM控制是采用同步调制还是异步调制。 5.为使输出波形尽可能的接近正弦波,可以采取什么措施。

6.分析正弦波与三角波之间不同的载波比情况下的负载波形,理解改变载波比对输出功率管和输出波形的影响。

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  • 薄膜晶体管研究进展 许洪华,徐 征, 黄金昭,袁广才,孙小斌,陈跃宁 发光与光信息技术教育部重点实验室,北京 100044 ) 摘 要:薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用.本文论述了薄膜晶体管的发展历史,描述了薄膜晶体管的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体管.多晶硅 ...

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  • 半导体物理_禁带宽度的测量
  • 半导体物理论文 --半导体禁带宽度的测量方法 姓 名 学 号 单 位 六院六队 摘 要 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,本文先介绍了禁带宽度的意义,它表示表示晶体中的公有化电子所不能具有的能量范围:表示表示价键束缚的强弱:表示电子与空穴的势能差:是一个标志导电性能好坏的重要参量,但是也不是绝对的 ...