硅锗异质结构中等离子声子耦合模式
摘要：利用自洽场理论考虑半导体硅锗量子阱系统中电子—电子和电子—声子相互作用，得到由这些交互作用引起的介电函数。从而得到硅锗异质结中的等离子与声子的耦合模式。
关键词：硅锗量子阱 电子—声子交互作用 等离子-声子的耦合模式
Abstract:Applying the self-consistent field theory and considering electron - electron and electron - phonon interaction in a Si/Ge QWS, the plasma-phonon coupling mode in the one-dimensional infinitely deep quantum well formed by Si/Ge heterostructure was studied from the real part of dielectric function.
Keywords: Si/Ge quantum well system, electron-phonon interaction, plasma-phonon coupled mode
1 引言
半导体材料中的晶格振动（或声子）能提供1011~1014Hz的高频超声源。这些高频超声能广泛的应用于超声电子和超声光电器件与装置[1-4]。纳米半导体系统中的声子波将在异质结界面反射和折射，在一定条件下会在一种材料中形成驻波，从而形成其中声子振动模式的量子化。目前人们对纳米半导体系统中的声子模式及其声子与载流
硅锗异质结构中等离子声子耦合模式
摘要：利用自洽场理论考虑半导体硅锗量子阱系统中电子—电子和电子—声子相互作用，得到由这些交互作用引起的介电函数。从而得到硅锗异质结中的等离子与声子的耦合模式。
关键词：硅锗量子阱 电子—声子交互作用 等离子-声子的耦合模式
Abstract:Applying the self-consistent field theory and considering electron - electron and electron - phonon interaction in a Si/Ge QWS, the plasma-phonon coupling mode in the one-dimensional infinitely deep quantum well formed by Si/Ge heterostructure was studied from the real part of dielectric function.
Keywords: Si/Ge quantum well system, electron-phonon interaction, plasma-phonon coupled mode
1 引言
半导体材料中的晶格振动（或声子）能提供1011~1014Hz的高频超声源。这些高频超声能广泛的应用于超声电子和超声光电器件与装置[1-4]。纳米半导体系统中的声子波将在异质结界面反射和折射，在一定条件下会在一种材料中形成驻波，从而形成其中声子振动模式的量子化。目前人们对纳米半导体系统中的声子模式及其声子与载流