浙江大学城市学院2008–2009学年第二学期期中考试 《 电力电子技术基础 》课程试卷 考试形式：闭卷 开课学院： 信电分院 任课教师： 任国海 考试时间： 120 分钟 姓名： 学号： 专业/班级：
一、判断题 （每题2分，共10分）
1、晶闸管的导通条件是：uAK>0，iGK>0，当晶闸管触发导通后，撤消iGK信号， 晶闸管将恢复阻断。 （ ）
2、IGBT和功率MOSFET是场控器件，静态输入阻抗极高，因此这两种器件的 驱动电路不需要考虑输出功率。 （ ）
3、晶闸管与功率晶体管均属于电流控制型器件，控制电流波形影响到器件的工作性能。 （ ）
4、 Buck电路的输入平均电流等于流过开关管的平均电流。 （ ）
5、通过变压器变比和占空比的适当组合，正激电路和反激电路均可以实现输出电压升降压控制。 （ ）
二、选择题 （每题2分，共10分）
1、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 ( )
A、一次击穿 B、二次击穿 C、临界饱和 D、反向截止
2、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )
A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定
3、非隔离式电路中，具有升降压调节功能的电路是（ ）。
A、Buck电路 B、Boost电路 C、Cuk电路 D、正激电路
4、一个额定电流为10A的二极管，允许通过的直流电流极限值为（ ）。
A、10A B、15.7A C、6.4A D、不确定
5、一个额定电流为10A的GTR，允许通过的直流电流极限值为（ ）。
A、10A B、15.7A C、6.4A D、不确定
三、分析计算题 （每题20分，共80分）
1、对于以下两个不同的电流波形（阴影部分，周期均为2 ），分别列出其电流平均值IAV、电流有效值Irms、波形系数kf的计算式。
、对于GTR单开关电路，其电阻负载为100Ω，
电源电压为1000V，器件关断时间为0.5μs，
电路以PWM方式工作，开关频率2kHz，最
小导通占空比为Dmin 0.2，要求设计RCD
参数（电阻值与功率、电容值与耐压、二极
管的电流与电压额定）。（提示：电阻负载带
有一定感性，在器件关断过程中负载电流可
以看作不变；器件的du
dt限制、峰值电流限制
不作考虑；设计参数有一定范围，只要符合
要求就行）
EC＝1000V COM 2
3、Boost电路输入电压100V，电感L=500μH，输出接100Ω电阻，电路工作频率50kHz，MOSFET导通的占空比D＝0.5，求：
（1）输出电压和电流，
（2）画出MOS管DS 两端的电压波形uVT(要求标出幅值)，
（3）电感电流的波动值∆IL。
u
t u t
4、逆变电路及控制波形如图，设R=0 ，Ud=100V， L=2mH，f =200Hz ,
（1） 画出输出电压、电流波形,
（2） MOSFET的峰值电流，
（3） 求电路的输出平均功率。
uGS1、
uGS 2、
u
io
浙江大学城市学院2008–2009学年第二学期期中考试 《 电力电子技术基础 》课程试卷 考试形式：闭卷 开课学院： 信电分院 任课教师： 任国海 考试时间： 120 分钟 姓名： 学号： 专业/班级：
一、判断题 （每题2分，共10分）
1、晶闸管的导通条件是：uAK>0，iGK>0，当晶闸管触发导通后，撤消iGK信号， 晶闸管将恢复阻断。 （ ）
2、IGBT和功率MOSFET是场控器件，静态输入阻抗极高，因此这两种器件的 驱动电路不需要考虑输出功率。 （ ）
3、晶闸管与功率晶体管均属于电流控制型器件，控制电流波形影响到器件的工作性能。 （ ）
4、 Buck电路的输入平均电流等于流过开关管的平均电流。 （ ）
5、通过变压器变比和占空比的适当组合，正激电路和反激电路均可以实现输出电压升降压控制。 （ ）
二、选择题 （每题2分，共10分）
1、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 ( )
A、一次击穿 B、二次击穿 C、临界饱和 D、反向截止
2、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )
A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定
3、非隔离式电路中，具有升降压调节功能的电路是（ ）。
A、Buck电路 B、Boost电路 C、Cuk电路 D、正激电路
4、一个额定电流为10A的二极管，允许通过的直流电流极限值为（ ）。
A、10A B、15.7A C、6.4A D、不确定
5、一个额定电流为10A的GTR，允许通过的直流电流极限值为（ ）。
A、10A B、15.7A C、6.4A D、不确定
三、分析计算题 （每题20分，共80分）
1、对于以下两个不同的电流波形（阴影部分，周期均为2 ），分别列出其电流平均值IAV、电流有效值Irms、波形系数kf的计算式。
、对于GTR单开关电路，其电阻负载为100Ω，
电源电压为1000V，器件关断时间为0.5μs，
电路以PWM方式工作，开关频率2kHz，最
小导通占空比为Dmin 0.2，要求设计RCD
参数（电阻值与功率、电容值与耐压、二极
管的电流与电压额定）。（提示：电阻负载带
有一定感性，在器件关断过程中负载电流可
以看作不变；器件的du
dt限制、峰值电流限制
不作考虑；设计参数有一定范围，只要符合
要求就行）
EC＝1000V COM 2
3、Boost电路输入电压100V，电感L=500μH，输出接100Ω电阻，电路工作频率50kHz，MOSFET导通的占空比D＝0.5，求：
（1）输出电压和电流，
（2）画出MOS管DS 两端的电压波形uVT(要求标出幅值)，
（3）电感电流的波动值∆IL。
u
t u t
4、逆变电路及控制波形如图，设R=0 ，Ud=100V， L=2mH，f =200Hz ,
（1） 画出输出电压、电流波形,
（2） MOSFET的峰值电流，
（3） 求电路的输出平均功率。
uGS1、
uGS 2、
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