锁存器原理
锁存器(Latch)是一种对脉冲电平敏感的存储单元电路，它们可以在特定输入
脉冲电平作用下改变状态。
简单锁存器定义：
只有在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号。通常
只有0和1两个值。典型的逻辑电路是D触发器。由若干个钟控D触发器构成
的一次能存储多位二进制代码的时序逻辑电路，叫锁存器件。逻辑结构与功能表 8位锁存器74LS373的逻辑图见图所示。其中使能端G加入CP信号，D为数据信号。输出控制信号为0时，锁存器的数据通过三态门进行输出。
数据有效延迟后于时钟信号有效。这意味着时钟信号先到，数据信号后
到。在某些运算器电路中有时采用锁存器作为数据暂存器。所谓锁存器，就是输出端的状态不会随输入端的状态变化而变化，仅在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号到来时才改变。典型的锁存器逻辑电路是D触发器电路。锁存，就是把信号暂存以维持某种电平状态。锁存器的最主要作用是缓存，其次完成高速的控制其与慢速的外设的不同步问题，再其次是解决驱动的问题，最后是解决一个 I/O 口既能输出也能输入的问题。在某些应用中，单片机的 I/O 口上需要外接锁存器。例如，当单片机连接片外存储器时，要接上锁存器，这是为了实现地址的复用。假设，MCU 端口其中的 8 路的 I/O 管脚既
要用于地址信号又要用于数据信号，这时就可以用锁存器先将地址锁存起来。 8051访问外部存储器时Ｐ０口和Ｐ２口共做地址总线，Ｐ０口常接锁存器再接存储器。以防止总线间的冲突。而Ｐ２口直接接存储器。因为单片机内部时序只
能锁住Ｐ２口的地址，如果用Ｐ０口传输数据时不用锁存器的话，地址就改变了。 看看8051单片机总线操作的时序图对我们很有帮助。由于数据总线、地址总线共用Ｐ０口，所以要分时复用。先送地址信息，由ＡＬＥ使能锁存器将地址信息锁存在外设的地址端，然后送数据信息和读写使能信号，在指定的地址进行读写操作。使用锁存器来区分开单片机的地址和数据，8051系列的单片机用的比较多，也有一些单片机内部有地址锁存功能，如8279就不用锁存器了。
并不是一定要接锁存器，要看其地址线和数据线的安排，只有数据和地址线
合用的情况下才会需要锁存器，其目的是防止在传数据时，地址线被数据所影响！ 这是由单片机数据与地址总线复用造成的，接 RAM 时加锁存器是为了锁存地址信号。 如果单片机的总线接口只作一种用途，不需要接锁存器；如果单片机的总线接口要作两种用途，就要用两个锁存器。例如：一个口要控制两个 LED，对第一个 LED 送数据时，“打开”第一个锁存器而“锁住”第二个锁存器，使第二个 LED 上的数据不变。对第二个 LED 送数据时，“打开”第二个锁存器而“锁住”第一个锁存器，使第一个 LED 上的数据不变。如果单片机的一个口要做三种用途，则可用三个锁存器，操作过程相似。然而在实际应用中，我们并不这样做，只用一个锁存器就可以了，并用一根 I/O 口线作为对锁存器的控制之用（接 74373 的ＬＥ，而ＯＥ可恒接地）。所以，就这一种用法而言，可以把锁存器视为单片机的 I/O 口的扩展器。
摘要
随着电路工艺尺寸的精进，采用纳米级CMOS结构设计的电路对外部辐射现象越来越敏感，可能导致软错误的发生，因此对纳米级的电路设计中电路的软错误有严格要求。传统的容错方法在功耗、面积和性能方面耗费大量成本，因此存储单元的低功耗加固设计显得尤为重要。
本文采用 纳米工艺设计了三个新型加固CMOS锁存器，拥有较低的功耗和较强的抗软错误率。并对面积和性能方面进行对比，采用hspice仿真结果，验证了设计的正确性，分析了该锁存器对电压、温度（PVT）的变化曲线
1、锁存器及抗辐射加固锁存器电路的原理（文献综述）
2、锁存器及其加固技术在国内外发展现状
3、现有锁存器的原理及分析
4、锁存器加固和抗辐射的原理和电路分析
5、三种新型的具有抗辐射加固锁存器的设计
6、电路设计，仿真结果及数据分析
7、结论
锁存器原理
锁存器(Latch)是一种对脉冲电平敏感的存储单元电路，它们可以在特定输入
脉冲电平作用下改变状态。
简单锁存器定义：
只有在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号。通常
只有0和1两个值。典型的逻辑电路是D触发器。由若干个钟控D触发器构成
的一次能存储多位二进制代码的时序逻辑电路，叫锁存器件。逻辑结构与功能表 8位锁存器74LS373的逻辑图见图所示。其中使能端G加入CP信号，D为数据信号。输出控制信号为0时，锁存器的数据通过三态门进行输出。
数据有效延迟后于时钟信号有效。这意味着时钟信号先到，数据信号后
到。在某些运算器电路中有时采用锁存器作为数据暂存器。所谓锁存器，就是输出端的状态不会随输入端的状态变化而变化，仅在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号到来时才改变。典型的锁存器逻辑电路是D触发器电路。锁存，就是把信号暂存以维持某种电平状态。锁存器的最主要作用是缓存，其次完成高速的控制其与慢速的外设的不同步问题，再其次是解决驱动的问题，最后是解决一个 I/O 口既能输出也能输入的问题。在某些应用中，单片机的 I/O 口上需要外接锁存器。例如，当单片机连接片外存储器时，要接上锁存器，这是为了实现地址的复用。假设，MCU 端口其中的 8 路的 I/O 管脚既
要用于地址信号又要用于数据信号，这时就可以用锁存器先将地址锁存起来。 8051访问外部存储器时Ｐ０口和Ｐ２口共做地址总线，Ｐ０口常接锁存器再接存储器。以防止总线间的冲突。而Ｐ２口直接接存储器。因为单片机内部时序只
能锁住Ｐ２口的地址，如果用Ｐ０口传输数据时不用锁存器的话，地址就改变了。 看看8051单片机总线操作的时序图对我们很有帮助。由于数据总线、地址总线共用Ｐ０口，所以要分时复用。先送地址信息，由ＡＬＥ使能锁存器将地址信息锁存在外设的地址端，然后送数据信息和读写使能信号，在指定的地址进行读写操作。使用锁存器来区分开单片机的地址和数据，8051系列的单片机用的比较多，也有一些单片机内部有地址锁存功能，如8279就不用锁存器了。
并不是一定要接锁存器，要看其地址线和数据线的安排，只有数据和地址线
合用的情况下才会需要锁存器，其目的是防止在传数据时，地址线被数据所影响！ 这是由单片机数据与地址总线复用造成的，接 RAM 时加锁存器是为了锁存地址信号。 如果单片机的总线接口只作一种用途，不需要接锁存器；如果单片机的总线接口要作两种用途，就要用两个锁存器。例如：一个口要控制两个 LED，对第一个 LED 送数据时，“打开”第一个锁存器而“锁住”第二个锁存器，使第二个 LED 上的数据不变。对第二个 LED 送数据时，“打开”第二个锁存器而“锁住”第一个锁存器，使第一个 LED 上的数据不变。如果单片机的一个口要做三种用途，则可用三个锁存器，操作过程相似。然而在实际应用中，我们并不这样做，只用一个锁存器就可以了，并用一根 I/O 口线作为对锁存器的控制之用（接 74373 的ＬＥ，而ＯＥ可恒接地）。所以，就这一种用法而言，可以把锁存器视为单片机的 I/O 口的扩展器。
摘要
随着电路工艺尺寸的精进，采用纳米级CMOS结构设计的电路对外部辐射现象越来越敏感，可能导致软错误的发生，因此对纳米级的电路设计中电路的软错误有严格要求。传统的容错方法在功耗、面积和性能方面耗费大量成本，因此存储单元的低功耗加固设计显得尤为重要。
本文采用 纳米工艺设计了三个新型加固CMOS锁存器，拥有较低的功耗和较强的抗软错误率。并对面积和性能方面进行对比，采用hspice仿真结果，验证了设计的正确性，分析了该锁存器对电压、温度（PVT）的变化曲线
1、锁存器及抗辐射加固锁存器电路的原理（文献综述）
2、锁存器及其加固技术在国内外发展现状
3、现有锁存器的原理及分析
4、锁存器加固和抗辐射的原理和电路分析
5、三种新型的具有抗辐射加固锁存器的设计
6、电路设计，仿真结果及数据分析
7、结论