三极管饱和后C 、E 间视为短路. 三极管截止后C 、E 间视为开路.
三极管构成的放大电路，在实际应用中，除了用做放大器外（在放大区），三极管还有两种工作状态，即饱和与截止状态。
三极管饱和状态下的特点:
要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即IB≥IBS。三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压（UCES ）很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE ＝EC －ICRC ，所以IBS ＝ICS ／β＝EC －UCES ／β≈EC／βRC。三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES ＝0.7V （锗管UBES ＝－0.3V ），而UCES ＝0.3V ，可见，UBE ＞0，UBC ＞0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后，C 、E 间的饱和电阻RCE ＝UCES ／ICS ，UCES 很小，ICS 最大，故饱和电阻RCES 很小。. 饱和后IC 不会随着IB 的增加再增加，三极管饱和后C 、E 间视为短路。
三极管截止状态下的特点:
要使三极管处于截止状态，必须基极电流IB ＝0，此时集电极IC ＝ICEO≈0（ICEO 为穿透电流，极小），根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE ＝EC －ICRC ，集电极与发射极间的电压UCE≈EC。三极管截止时，基极电流IB ＝0，而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见，UBE≤0，UBC ＜0，也就是说，发射结和集电结均为反偏。三极管截止后，C 、E 间的截止电阻RCE ＝UCE ／IC ，UCES 很大，等于电源电压，ICS 极小，C 、E 间电阻RCE 很大，所以，三极管截止后C 、E 间视为开路.
. 三极管放大状态下的特点:
要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：0＜IB ＜IBS 。三极管放大时，基极电流IB ＞0，对硅管来说，发射结的压降UBE ＝0.7V （锗管UBE ＝－0.3V ），三极管在放大状态时，集电极与发射极间的电压UCE ＞1V 以上，UBE ＞0，UBC ＜0，也就是说，发射结正偏，集电结反偏。三极管在放大状态时，IB 与IC 成唯一对应关系。当IB 增大时，IC 也增大，并且1B 增大一倍，IC 也增大一倍。所以，IC 主要受IB 控制而变化，且IC 的变化比IB 的变化大得多，即集电极电流IC ＝β×IB。
三极管饱和后C 、E 间视为短路. 三极管截止后C 、E 间视为开路.
三极管构成的放大电路，在实际应用中，除了用做放大器外（在放大区），三极管还有两种工作状态，即饱和与截止状态。
三极管饱和状态下的特点:
要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即IB≥IBS。三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压（UCES ）很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE ＝EC －ICRC ，所以IBS ＝ICS ／β＝EC －UCES ／β≈EC／βRC。三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES ＝0.7V （锗管UBES ＝－0.3V ），而UCES ＝0.3V ，可见，UBE ＞0，UBC ＞0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后，C 、E 间的饱和电阻RCE ＝UCES ／ICS ，UCES 很小，ICS 最大，故饱和电阻RCES 很小。. 饱和后IC 不会随着IB 的增加再增加，三极管饱和后C 、E 间视为短路。
三极管截止状态下的特点:
要使三极管处于截止状态，必须基极电流IB ＝0，此时集电极IC ＝ICEO≈0（ICEO 为穿透电流，极小），根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE ＝EC －ICRC ，集电极与发射极间的电压UCE≈EC。三极管截止时，基极电流IB ＝0，而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见，UBE≤0，UBC ＜0，也就是说，发射结和集电结均为反偏。三极管截止后，C 、E 间的截止电阻RCE ＝UCE ／IC ，UCES 很大，等于电源电压，ICS 极小，C 、E 间电阻RCE 很大，所以，三极管截止后C 、E 间视为开路.
. 三极管放大状态下的特点:
要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：0＜IB ＜IBS 。三极管放大时，基极电流IB ＞0，对硅管来说，发射结的压降UBE ＝0.7V （锗管UBE ＝－0.3V ），三极管在放大状态时，集电极与发射极间的电压UCE ＞1V 以上，UBE ＞0，UBC ＜0，也就是说，发射结正偏，集电结反偏。三极管在放大状态时，IB 与IC 成唯一对应关系。当IB 增大时，IC 也增大，并且1B 增大一倍，IC 也增大一倍。所以，IC 主要受IB 控制而变化，且IC 的变化比IB 的变化大得多，即集电极电流IC ＝β×IB。